区熔法制备单晶材料.docVIP

区熔法制备单晶材料 区熔法是局部加热使物料熔融，移动加热带，熔化部分开始结晶。如果在多晶材料一端放置籽晶，结晶就会以籽晶方向形成单晶，直至物料全部转化成单晶。 区熔法的原理：通过在生长界面附近产生一个温度梯度 ,控制或重新配原材料中的可溶性杂质或相 热源可以是熔体、料舟或受感器耦合的射频加热，其他热源包括电阻元件的辐射加热、电子轰击以及强灯光或日光的聚焦辐射。 应用：用于制备大功率晶闸管的单晶硅。 优点：生产效率高，可以制备大尺寸单晶体 缺点：对设备要求很高，在区熔过程中技术控制难度较大 分类：水平区熔法和悬浮区熔法 3.水平区域熔化法 生长过程 （1）将结晶物质在坩埚内制成铸锭，籽晶在坩埚的最左端 （2）使坩埚一端移向高温区域，形成熔体 （3）坩埚继续移动，移出高温区的熔体形成晶体，进入高温区的料锭熔化形成熔体 （4）坩埚的另一端移出高温区后生长结束 注意：生长中，容器必须要与熔体相连，熔体和坩埚不起反应。 本方法主要用于材料的物理提纯，也常用于晶体生长 4. 悬浮区熔法 要点与步骤 （1）将多晶料棒仅靠耔晶 （2）将多晶料棒靠近耔晶一端形成一个熔化区，并使耔晶微熔，熔化区靠表面张力支持而不流淌 （3）同速向下移动多晶料棒和晶体，相当于熔化区向上移动，单晶逐渐长大，而料棒不断缩短，直至多晶料棒全部转变为单晶体。 该方法不用坩埚，温度不受坩埚材料熔点限制，可用来生长高熔点的晶体，例如钨单晶（熔点为3410℃）