第八章PN结2浅析.pptVIP

* 在一般杂质浓度下，雪崩击穿机构是主要的 在重掺杂的情况下，隧道击穿是主要的 N VA越大，?x越小，P就越大，也就越容易发生隧道击穿。杂质浓度较低时，必须加大的反向偏压，才能发生隧道击穿。 杂质浓度较低，反向偏压大时，势垒宽度增大，隧道长度会变长不利于隧道击穿，却有利于雪崩倍增效应。 * * * 隧道结：由重掺杂的 p 区和 n 区形成的 pn 结 隧道结的电流电压特性 隧道结热平衡时的能带图 隧道结中： 正向电流 扩散电流 + 隧道电流 在较低的正向电压下，隧道电流是主要的 隧道电流随外加电压的变化： a.. 加一小的电压V， n区能带相对于p区将升qV，结两边能量相同的量子态中，p区价带的费米能级以上有空量子态，而n区导带的费米能级以下有量子态被电子占据，电子可穿过隧道进入p区形成正向隧道电流。 b. 继续升高电压，势垒高度不断下降，有更多的电子从n区穿过隧道到p区的空量子态，使隧道电流不断增大。 C. 再增大正向电压，势垒高度进一步降低，在结两边能量相同的量子态减少，隧道电流减小。 d. 正向电流增大到 Vv使n区导带底和p区价带顶一样高，隧道电流为零。 实际上此时正向电流并不完全为零而是有一个很小的谷值电流，它的数值要比谷值电压下的正向扩散电流大得多，称为过量电流。 产生过量电流的原因：简并半导体能带边缘的延伸 对硅、锗pn结，正向电压大于 时，扩散电流就成为主要的，隧道结和一般二极管的正向特性一样。 加反向偏压时,p区能带相对n区升高，结两边能量相同的量子态中，p区价带的费米能级以下量子态被电子占据，而n区导带的费米能级以上有空量子态，因此p区价带的电子可穿过隧道进入n区形成反向隧道电流，随反向电压的增加p区价带中可以穿过隧道的电子数大大增加，反向电流迅速增大。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 3.理想p-n结的电流电压方程 肖克莱方程 Js 饱和电流 根据假设，势垒区的复合-产生可略，过 p-n结总电流密度为： * * 反偏， V 0，当q│V│ 0时， 4. 讨 论 因为室温，一般外加正偏压约零点几伏， 反向电流密度为常量，与电压无关，反向截止。 （1） 理想p-n结的整流效应 正偏，正向电流密度随正向偏压呈指数关系迅速增大，正向导通 Js: 反向饱和电流密度 * * 理想 p-n结 的J-V曲线： 正向及反向偏压下曲线不对称pn结具有单向导电性或整流效应 非线性 理想PN结的伏安特性 * * 但起决定作用的是指数项 （ 3） 温度对电流密度的影响 Js： Dn、Ln、np0 均与T有关。 设：Dn/τn与T 成正比，γ为常数，Js中任一项均与T的有关 * * ? Js随温度升高而迅速增大，Eg 越大的半导体，Js变化越快 ? Eg 也是温度的函数 Eg Eg 0 + βT， 设:绝对零度时的禁带宽度 Eg 0 qVg0 即：导带底和价带顶的电势差。 加正向偏压VF时，正向电流密度与温度关系为： 所以：正向电流密度随温度上升而增加。 * * * * PN结的伏安特性 ?a段 正向电流较小，理论值比实际值小。 ?c段 正向电流较大 ? 反偏,实际反向电流比理论大得多, 反向电流不饱和随反向 偏压增大略增。 ? b 段 J-V关系理论值与实际值相吻合。 ? d段 J-V关系不呈指数接近线性 书：158 * * 影响p-n结电流电压特性的各种因素 * 阅读 * * * * * * * * * * * §2.4 PN结的电容特性 pn结电容：CT 势垒电容，CD扩散电容。 在固定直流偏压作用下，叠加一微小的交流电压dV时这个微小电压变化d V所引起的电荷变化d Q，称此直流偏压下的微分电容。 pn结的势垒和扩散电容都随外加电压而变，为可变电容， 定义微分电容来表示： 随外加电压变化，pn结的势垒宽度和都边界处的载流子浓度都会变，可看成是对pn结的充放电。 2. 势垒电容CT 势垒电容是由阻挡层内电离杂质构成的空间电荷引起。 外加电压使阻挡层变宽时电荷量增加；反之电荷量减少。即阻挡层中电荷量随外加电压变化而变，形成电容效应，类似平板电容器。 CT dv dQ εr ε0 Xd Xd （V）势垒宽度 Xd` X d - + P+ N xd 单边突变P+N结势垒电容 * * 书：167 3. 扩散电容CD ? ＰＮ结正偏，多子在扩散过程中引起载流子电荷积累而产生。 ? 若ＰＮ结正偏加大，多子扩散加强，电荷积累, 电荷增量为ΔＱ；反之积累电荷减少。 扩散电容示意图 CD CDp+ CDn q2 np0 Ln + pn0 Lp kT