第八章光电传感器浅析.ppt

第八章 光电传感器 3、半导体光电效应 4、外光电效应和内光电效应 8.3 光电导效应及光电元件 光敏电阻电阻光照关系： 一、光敏电阻的结构和原理 1、分类： 2、结构与表示符号 三、光敏电阻特性 1、暗电阻、亮电阻和光电流 2、光敏电阻的伏安特性 3、光敏电阻的光照特性 8.4 光电伏特效应及光电元件 二、光电池 光电池是有源器件,这种器件受到光照时就产生一定方向的电动势,不需要外部电源供电。 硒光电池、氧化亚铜光电池、硫化铊光电池、硫化镉光电池、锗光电池、硅光电池、砷化镓光电池等 1、结构 2、光电池的特性 8.5 CCD图像传感器 CCD 单色相机 8.6 常用光路 作业： 电子“势阱” 电荷转移 CCD彩色相机 基于三棱镜的彩色相机 基于拜耳滤光片的相机 被测量 光量 光电元件 电量 1、光电传感器： 2、反射式： 反射法测量原理 检测表面粗糙度和缺陷 * * 8.1 光电传感器的基本效应 8.2 外光电效应光电器件 8.3 光电导效应及光电元件 8.4 光电伏特效应及光电元件 8.5 CCD图像传感器 8.6 应用光路 8.1 光电传感器的基本效应 1、光电传感器： 被测量 光量 光电元件 电量 2、光与物质作用三种效应 光电效应：热释电效应：波动相互作用： 光子与电子作用热转换成电光电场感应电信号 本征半导体： Si、Ge 满 带 空 带 h? 电子和空穴一样多的半导体成为本征半导体 ?Eg=1.14eV 1090nm 内光电效应： 电子吸收光子后不能跃出半导体 如：光电导和光生伏特（太阳能电池） 外光电效应： 电子吸收光子而逃逸出半导体表面 如：光电倍增管、光电管 8.2 外光电效应光电器件 1．光电效应 2、光电倍增管 光子Φ 光电流iΦ 二次电子(σ) 电流 i 阴极 阳极 电子加速 激发二次电极系数(σ) i=iΦσn Usc=iR = iΦσn R 光电倍增管优点和缺点 一般用于微弱光输入、要求反映速度很快的场合 优点： 放大倍数很高 线性好 频率特性好 缺点： 体积大 高压：数百伏至1 kV的直流电压供电 光谱分析设备, 接收设备：光电倍增管/CCD 满 带 空 带 h? ?Eg=1.14eV 1090nm 光照后电导率（电阻）发生变化的现象，称为光电导现象；光电导器件常称为光敏电阻。 暗电阻值很大 大多数超过1M欧姆 紫外光敏电阻： 红外光敏电阻： 可见光光敏电阻： 硫化镉（CdS）及硒化镉（CdSe） 硫化铅、碲化铅、硒化铅、锑化铟等用于：导弹制导，人体探测等 硒、 砷化镓、硅、锗、硫化锌等 可用于：照相机自动曝光、烟雾报警 光敏电阻结构 光敏电阻未受光照时的电阻称为暗电阻，此时电流称为暗电流；（兆欧量级） 光敏电阻受到光照时的电阻称为亮电阻，此时电流称为亮电流。 （千欧量级） 4.光敏电阻的光谱特性 对不同波长的光，光敏电阻的灵敏度不一样 5.光敏电阻的温度特性 硫化铅的光敏温度特性曲线 峰值随着温度升高而想短波长移动 一、光电二极管 光电二极管 (a) 结构原理；（b） 外形；(c) 电路符号 体积小、频率特性好、但弱光下灵敏度低 光电二极管 接到外电路中可以直接产生电流，不需电源 硅光电池 1）光谱响应特性 硅光电池：峰值800nm, 范围：450nm～1100nm 硒光电池：峰值540nm, 范围：340nm～750nm 2）光电池的光照特性 A 短路电流 V 开路电压 电流源 电流源？电压源 3）光电池的动态特性（频率特性） 硅光电池可用于高速计数 斩波频率 4）光电池的温度特性：温度漂移 CCD： 电荷耦合器件（Charge Coupled Device） MOS： 金属-氧化物-半导体 （100nm） MOS电容 * *