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第4章 模拟集成基本单元电路 4.2 集成电路（IC）中的电流源 4.3 带恒流源负载的放大电路 4.4 差动放大器析 4.5 功率输出级电路器 4.1 半导体集成电路概述 4.6 BiCMOS电路 4.1 半导体集成电路概述 返回 第一块集成电路出现于1958年。在使用电子电路的绝大多数场合，IC已经基本上取代了分立元件电路。 集成电路按处理信号的类型可分为数字IC和模拟IC。 模拟集成电路因其制造工艺的特殊性，使它在电路设计、元件选取等方面与分立元件电路有所不同。归纳起来，模拟IC工艺大致有以下特点： 1．晶体管(BJT)按标准工艺制作，成本低且占用硅片面 积小。二极管一般都用BJT的一个PN结担任，不再用专门工艺生产。 2．生产电阻的工艺不比生产晶体管的工艺简单，而且电阻值越大，占用硅片面积越大。 3．制造数十皮法以上的电容将占用很大的硅片面积，电路中使用电容非常不合算。 4．无法集成电感元件。 5．集成电路易于生产配对的元件(相对误差1％以下)，但元件的绝对误差较大(绝对误差20％)。 4.2 恒流源和稳定偏置电路 4.2.1 BIT参数的温度特性 4.2.2 BJT恒流源 返回 4.2.3 MOS恒流源 B UBE IB · Q i B A Q/ · 4.2.l BIT参数的温度特性 休息2 休息1 返回 i C Q IC UCE G F · i C IC G F · Q/ 休息2 休息1 4.2.l BJT参数的温度特性 返回 i C Q IC UCE G F · i C IC G F · Q/ Δi 4.2.2 BJT恒流源 休息2 休息1 返回 （1）BJT的基本恒流原理 恒流源的端口电压U可以在很大范围内变化，但端口电流I 却改变很小，其原因是端口的动态电阻—恒流源内阻ro很大，当ro= ∞时，就是理想恒流源。 ro= Δu/Δi I + U+Δu - i=I+ Δi = ICQ+ΔiC ΔuCE ΔiC 如果让BJT偏置在放大区，固定其基极偏流IBQ ， C--E之间就等效成为一个恒流源 iC ICQ uCE I BQ UCEQ u i I U Δu 1. 基本镜像恒流源 电路仿真 (2) 镜像恒流源的电路结构： 用两个配对的NPN型BJT构成基本镜像恒流源(又称为电流镜)。 VT2管的集电极电流IC2就是恒流源的输出电流，可以为集成电路中的各类放大电路提供恒定的偏置电流。 EC 、R和VT1构成镜像恒流源的参考回路，该回路产生的电流IR称为参考电流。 参考电流IR受晶体管参数的影响不大，在EC 、R确定的条件下，是一个相对稳定的电流。 虽然VT1的集电结零偏(UCB1=0)，但未进入饱和区，仍然处在放大区 1. 基本镜像恒流源 电路仿真 返回 休息2 休息1 （3）电路工作原理分析 在VT1和VT2两管匹配，β1=β2=β、且UBE1=UBE2=UBE 的电路条件下，应满足 IB1=IB2=IB 、IC1=IC2=IC 由节点电流可得参考电流IR的表达式为 镜像恒流源的输出电流IC2与参考电流IR是镜像关系 当β1时，可得 1. 基本镜像恒流源 返回 休息2 休息1 （4）电路性能的讨论 ① 镜像恒流源电路的输出电流IC2与参考电流IR成镜像关系，即IC2≈IR 在集成电路的设计中常采用一个参考电路同时带动多个(例如n个)输出电流的镜像恒流源电路 ② 由于 ，表明参考电流IR仅决定于外电路参数与晶体管参数无关，即与温度无关，这样IC2将为放大电路提供稳定的偏置电流。 ③ IR-IC2=2IB ，表明输出电流IC2与参考电流IR存在一定的误差 当β较小时，相对误差将加大。 在多输出的情况下基本镜像恒流源输出电流ICn与参考电流IR之间不完全成镜像关系，精度较差。绝对误差为(n+1)IB ，相对误差= (n+1)/β。 1. 基本镜像恒流源 返回 休息2 休息1 （4）电路性能的讨论 ④ 镜像电流源的输出电阻等于VT2管的输出电阻 输出电阻rce2相对较小，因此在实际应用中输出电流IC2受负载波动的影响较显著。 ⑤ UCE1=UBE≠UCE2 ，因此VT1和VT2工作状态并不对称 当考虑到基区宽调效应时，会引起电流误差，即IC1≠IC2 。 电路仿真 2. 精密镜像恒流源 电路仿真