模拟电子技术第7讲探究.pptVIP

(1)共发射极直流电流放大系数 4.1.4 BJT的主要参数。。。..。 1. 电流放大系数 VCE=const =IC / IB ? (2) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const 显然，β和β的含义不同， β反映静态(直流 状态)时的电流放大特性， β反映动态(交流工作状 态)时的电流特性。但β≈ β (3) 共基极直流电流放大系数 =IC/IE ? VCB=const (4) 共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const 当BJT工作于放大区时， ≈?、 ≈?，可以不 加区分。 * 2. 极间反向电流 (1) 集基间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的 反向饱和电流。 (2) 集射间反向饱和电流ICEO 基极开路时，晶体管的穿透电流。 穿透电流在特性曲线上表现 ICEO 4.1.4 BJT的主要参数。。。..。 * ICM V(BR)CEO PCM (1) 集电极最大允许电流ICM (2) 集电极最大允许功率损耗PCM 注意：任何时候晶体管功耗 PCM= ICVCE 安 全工作区 过 损 耗 区 (3) 晶体管安全工作区 极限参数决定晶体管是否能安全工作 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定 晶体管安全工作区。 过流区 过压区 3. 极限参数 4.1.4 BJT的主要参数。。。..。 * ? V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反向击穿电压 ? V(BR) EBO——集电极开路时发射结的反向击穿电压 ? V(BR)CEO——基极开路时集射间的击穿电压，它与穿透电流直接联系 几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO (4) 反向击穿电压 3. 极限参数 4.1.4 BJT的主要参数。。。..。 * 4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 1.温度对BJT参数的影响 1）温度对ICBO的影响 ICBO是集电结反偏时的反向饱和电流，对温度非 常敏感，温度每升高100C， ICBO约增加一倍。 2）温度对?的影响 IB=IBN-ICBO , IC=ICN+ICBO 温度升高ICBO增加， ?增加 3）温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响 温度升高反向击穿电压也提高。 * 150C 300C 2.温度对BJT特性曲线的影响 1）对输入特性的影响 温度升高特性曲线左移， 说明在iB相同的条件下，vBE减小了。温度每升高10C， vBE减小2～2.5mV 2）对输出特性的影响 温度升高ICEO增加，特性曲线上移， iB=0 iB=20 iB=40 iB=60 iB=80 4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 * BJT构造与BJT类型 BJT的电流分配关系 BJT的放大作用：条件、机理 BJT的主要工作参数： ? 、?、 ICEO BJT的特性曲线：输入、输出 BJT的主要极限参数，安全工作区 本 节 小 结 * 作 业 * 4.1.1 4.1.2 4 双极结型三极管及放大电路基础 4.1 半导体三极管 4 双极结型三极管及放大电路基础 4.1 半导体三极管(BJT) 4 双极结型三极管及放大电路基础 4.1 半导体三极管(BJT) 4 双极结型三极管及放大电路基础 4.1 半导体三极管(BJT) 4 双极结型三极管及放大电路基础 4.1 半导体三极管(BJT) 4 双极结型三极管及放大电路基础 4.1 半导体三极管(BJT) 4.1 半导体三极管 4.2 基本共射极放大电路 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应 4.8 单级放大电路的的瞬态响应 4.9 SPICE仿真例题 * 4.1.1 BJT的结构简介 N P PN结 二极管 P P N PN结 PN结 三极管 1.常见三极管的外形 * 2.BJT的分类 按频率分 高频管 中频管 低频管 按功率分 大功率管 中功率管 小功率管 按材料分 硅管 锗管 按结构分 NPN型管 PNP型管 4.1.1 BJT的结构简介 * 3.两种BJT类型及其符号 发射区 发射极(e) 集电区 基区 基极(b) 集电极(c) 发射结(Je) 集电结(Jc) 箭头代表发射结正偏时 流过发射结电流的实际方向。 4.1.1 BJT的结构简介 * 4. 三个区的作用：