非隔离有源LE恒流驱动芯片茂捷M8915兼容华晶CS9210.docVIP

概述： M8915是一款带有源功率因数校正的高精度非隔离降压型LED恒流控制芯片。 M8915集成有源功率因数校正电路，可以实现很高的功率因数和很低的总谐波失真。由于工作在电感电流临界连续模式，功率MOS管处于零电流开通状态，开关损耗得以减小，同时电感的利用率也较高。 M8915内部集成500V功率MOSFET,只需要 很少的外围器件，即可实现优异的恒流特性。M8915采用专利的浮地 构架，对电感电流进行全周期采 样，可实现高精度输出恒流控制，并达到优异的线电压调整率和负载调整率。M8915具有 过热调节功能，在驱动电源过热时减小输出电流，以提高系统的可靠性。 特点： ■内置有源功率因数校正 ■电感电流临界连续模式 ■高性能的线电压调整率和负载调整率 ■±3%输出电流精度 ■内置500V功率MOSFET ■启动电流 ■高达95%的系统效率 ■多重保护功能 LED开路/短路保护 电流采样电阻开路保护 逐周期原边电流限流 芯片供电过压/欠压保护 自动重启功能 过热调节功能 ■采用SOP-8封装 应用： ■GU10/E27 LED球泡灯、射灯 ■LED PAR灯 ■LED日光灯 典型应用： 图1 M8915典型应用图 管脚排列图: 图2 M8915管脚排列图 管脚描述： 管脚名称 管脚号 管脚描述 COMP 1 环路补偿点 GND 2 芯片信号和功率地 VDD 3 芯片供电 INV 4 反馈信号采样端 DRAIN 5,6 内部高压MOSFET的漏极 SEN 7,8 电流采样端，接采样电阻到地 极限参数： 符号 名称 参数范围 单位 VDS 内部高压MOSFET漏极到源极的峰值电压 -0.3~500 V IDD_MAX VDD引脚最大钳位电流 10 mA COMP 环路补偿点 -0.3~6 V INV 辅助绕组的反馈端 -0.3~6 V SEN 电流采样端 -0.3~6 V PDMAX 功耗(注2) 0.45 W θJA PN结到环境的热阻 145 ℃/W TJ 工作结温范围 -40 to 150 ℃ TSTG 储存温度范围 -55 to 150 ℃ ESD (注3) 2 KV 电气参数：Tc=25℃ 符号 参数描述 条件 最小值 典型值 最大值 单位 电源电压 VDD_ON VDD启动电压 VDD上升 18.5 V VDD_UVLO VDD欠压保护阈值 VDD下降 7 V VDD_CLAMP VDD钳位电压 24.5 V IDD_UVLO VDD关断电流 VDD上升VDD=VDD_ON-1V 3 20 uA IDD VDD工作电流 750 uA INV反馈 VINV_OVP INV过压保护阈值 1.6 V TON_MAX 最大导通时间 20 uS TOFF_MIN 最小关断时间 3 uS TOFF_MAX 最大关断时间 100 uS 电流采样 VSEN_LIMIT SEN峰值电压限制 1.0 V TLEB_SEN 电路采样前沿消隐时间 350 ns TDELAY 芯片关断延迟 200 ns 环路补偿 VREF 内部基准电压 0.194 0.200 0.206 V Vcomp_LO COMP下钳位电压 1.5 V VCOMP COMP线性工作范围 1.5 3.5 V VCOMP_OVP COMP保护电压 3.8 V 功率MOSFET RDS_ON 功率MOSFET导通电阻 VGS=10V/IDS=0.5A 5.5 Ω BVDSS 功率MOSFET击穿电压 VGS=0V/IDS=250uA 500 V IDSS 功率MOSFET漏电流 VGS=0V/VDS=500V 1 uA 过热调节 TREG 过热调节温度 150 ℃ 注4：典型参数值为25?C下测得的参数标准。 注5：规格书的最小、最大规范范围由测试保证，典型值由设计、测试或统计分析保证。 芯片内部结构框图： 图3 M8915 内部框图 应用信息 M8915是一款非隔离式、有源功率因数校正LED恒流控制芯片，工作在电感电流临界连续模式，芯片可以实现很高的功率因数和高效率。 启动 系统上电后，经过整流后的电压通过启动电阻给VDD引脚的电容充电，当VDD电压上升到启动阈值电压后，芯片内部控制电路开始工作，COMP电压被上拉到1.7V，M8915开始输出脉冲信号， COMP电压从1.7V开始逐渐上升，原边峰值电流随之上升，从而实现输出LED电流的软启动，有效防止输出电流过冲。当输出电压建立之后，VDD通过二极管供电，从而降低系统功耗。 反馈网络 M8915通过INV来检