电子技术ch8门电路和cmos—80学时(2012修改版)精编.pptVIP

（2-*） 场效应管的工作区的条件 绝缘栅 增强 型 N 沟 P 沟 可变电阻区 夹断区 予夹断 恒流区 工作区 （2-*） 例： 测得某放大电路中3个MOS管的3个电极电位和开启电压如下，试分析各管的工作状态 管号 工作状态 1 4 -5 1 3 恒流区 2 -4 0 -3 -10 夹断区 3 -4 6 0 5 可变电阻区 可变电阻区 夹断区 予夹断 恒流区 工作区 绝缘栅 增强 型 N 沟 P 沟 （2-*） 双极型三极管与场效应三极管的比较 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 结型 N沟道 P沟道 与 PNP型 绝缘栅 增强型 N沟道 P沟道 分类 C与E一般不可 绝缘栅 耗尽型 N沟道 P沟道 倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源 电压控制电流源 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，且有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 1-* 场效应管 1. 分类 按导电沟道分 N 沟道 P 沟道 按结构分 绝缘栅型 MOS 结型 按特性分 增强型 耗尽型 uGS 0 时， iD 0 uGS 0 时， iD ? 0 增强型 耗尽型 耗尽型 （2-*） 五、CMOS门电路 1、M OS管开关等效电路（理想情况下） 当UGS≥2v时， 当UGS 2v时， 2. PMOS管开关等效电路。 当UGS≤-2v时， 当UGS -2v时, （等效开关图同上） TN 截止 1、NM OS 管开关等效电路 TN导通： TP导通： TP截止： （2-*） 基本电路用TP管和TN管构成。 输入脉冲幅度通常为VDD。 VA 0V TP TN UY VDD 真值表 A 0 1 Y 1 0 表达式 Y A 0 VDD VDD 截止 截止 导通 导通 0 TN TP +VDD A Y 2、 CMOS反向器的工作原理 一. 电路结构 二.工作原理 CMOS门电路中的其它门： 与、或、异或门、同或门等可以自学 如同TTLOC门，CMOS OD门，可用来实现“线与逻辑”。 3、 OD门（漏极开路的门电路）、三态输出门 （2-*） 1）CMOS传输门（TG） 组成和逻辑符号 当C 0时，C 1时， 当C 1，时C 0时，T1、T2总有一个导电，传输门导通。 工作时，要求UI在0?VDD之间变化。 CMOS传输门是双向输入和输出器件，两端可以互易使用。 C T2 T1 VDD VI/VO VO/VI C TG C VI/VO VO/VI C 4、CMOS传输门 T1、T2截止，传输门截止。 （2-*） 2） CMOS传输门应用举例 利用CMOS传输门和CMOS非门可以组成各种复杂的逻辑电路。 当C 0时，SW截止； CMOS双向模拟开关的组成和符号： 例如做模拟开关，用来传输模拟信号，这是一般的逻辑门无法实现的。 TG C VI/VO VO/VI 1 SW C VI/VO VO/VI 当C 1时，SW导通。 （2-*） 由于CMOS反向器的栅极和衬底之间有SiO2绝缘层，所以CMOS反向器正常工作时，有II IG 0成立。 但绝缘层非常薄，极易击穿 , 所以，制作CMOS器件时，集成了“输入保护电路”, 以保护绝缘层不被击穿。 输入保护措施是有限度的，使用时还必须注意器件的 正确使用方法。 5、 CMOS反向器的静态输入特性 * * * （2-*） 1、OC门可以实现“线与”功能 UCC F1 F2 F3 F F F1F2F3 RL 输出级 UCC RL T5 T5 T5 （2-*） F F1F2F3? UCC RL F1 F2 F3 F 任一导通 F 0 （2-*） UCC RL F1 F2 F3 F 全部截止 F 1 F F1F2F3? 所以：F F1F2F3! （2-*） 2、负载电阻RL和电源 UCC可以根据情况选择 J +30V ?220V J （2-*） 11.4.２ 三态门 +5V F R4 R2 R1 T2 R5 R3 T3 T4 T1 T5 A B D E E---控制端 1 （2-*） +5V F R4 R2 R1 T2 R5 R3 T3 T4 T1 T5 A B D E 0 1 截止 （2-*） +5V F R4 R2 R1 T2 R5 R3 T3 T4 T1 T5 A B D E 1 0 导通 截止 截止 高阻态 （2-*） A B F 符号 功能表 低电平起作用 （2-*） A B F 符号 功能表 高电平起作用 （2-*