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2011年期中考试卷答案
一、选择题:每题3分(共24分) 1. C,2. A ,3.B ,4. A,5. B ,6. D,7. C,8. D
二、填空题:每题3分(共21分)
1. 0 ; 2. ;
3. 1/?r ,1/?r ; 4. 1- ?r ? / ?r ;
5.最大磁力矩,磁矩; 6. , 0 ; 7.增大,增大.
三、计算题:(共55分)
1. (本题10分)如图所示,一个均匀带电,内、外半径分别为R1和R2的均匀带电球壳,所带电荷体密度为ρ,试计算:
(1)A,B两点的电势;
(2)利用电势梯度求A,B两点的场强.
解:
(1)过空腔中A点作一半径为r的同心球形高斯面,由于面内没有电荷,根据高斯定理,
A点场强为 E 0, r≦R1 . 1分
B点的场强为 , R1≦r≦R2 . 2分
球壳外的场强为, R2≦r . 1 分
A点的电势为 2分
B点的电势为
. 2分
(2)A点的场强为.B点的场强为. 2分
2. (本题10分)如图所示,一圆柱形电容器,内筒半径为R1,外筒半径为R2 R2<2 R1 ,其间充有相对介电常量分别为?r1和?r2=?r1 / 2的两层各向同性均匀电介质,其界面半径为R.若两种介质的击穿电场强度相同,问:
1 当电压升高时,哪层介质先击穿?
2 该电容器能承受多高的电压? 解: 1 设内、外筒单位长度带电荷为+?和-?.两筒间电位移的大小为 D=? / 2?r 1分
在两层介质中的场强大小分别为 E1 ? / 2??0 ?r1r , E2 ? / 2??0 ?r2r 2分
在两层介质中的场强最大处是各层介质的内表面处,即 E1M ? / 2??0 ?r1R1 , E2M ? / 2??0 ?r2R 2分
可得 E1M / E2M ?r2R / ?r1R1 R / 2R1
已知 R1<2 R1, 可见 E1M<E2M,因此外层介质先击穿. 1分
2 当内筒上电量达到?M,使E2M=EM时,即被击穿, ?M 2??0 ?r2REM 2分
此时.两筒间电压 即最高电压 为: 2分
3. (本题10分)两个同轴的圆柱面,长度均为l,半径分别为a、b,柱面之间充满介电常量为ε的电介质(忽略边缘效应).当这两个导体带有等量异号电荷 ±Q 时,求:
(1)在半径为r a r b 、厚度为dr、长度为l的圆柱薄壳中任一点处,电场能量体密度是多少?整个薄壳层中总能量是多少?
(2)电介质中总能量是多少(由积分算出)?
(3)由电容器能量公式推算出圆柱形电容器的电容公式?
解:(1)圆柱形内柱面的电荷线密度为 λ Q/l,
根据介质是高斯定理,可知电位移为 D λ/2πr Q/2πrl, 2分
场强为E D/ε Q/2πεrl, 1分
能量密度为w D·E/2 DE/2 Q2/8π2εr2l2. 2分
薄壳的体积为dV 2πrldr,能量为dW wdV Q2dr/4πεlr. 1分
(2)电介质中总能量为. 2分
(3)由公式W Q2/2C得电容为. 2分
4. (本题10分)在半径为R的木球上紧密地绕有细导线,相邻线圈可视为相互平行,盖住半个球面,如图所示.设导线中电流为I,总匝数为N,求球心O处的磁感应强度B ?
解:四分之一圆的弧长为C πR/2,单位弧长上线圈匝数为n N/C 2N/πR.
在四分之一圆上取一弧元dl Rdθ,线圈匝数为dN ndl nRdθ,环电流大小为 dI IdN nIRdθ.环电流的半径为 y Rsinθ,离O点的距离为 x Rcosθ,
在O点产生的磁感应强度为 正确做图 2分
, 3分
方向沿着x的反方向, 1分
积分得O点的磁感应强度为
. 4分
5. (本题15分)如图所示,斜面上放有一木制圆柱,质量m 0.5kg,半径为R,长为 l 0.10m,圆柱上绕有10匝导线,圆柱体的轴线位导线回路平面内.斜面倾角为θ,处于均匀磁场B 0.5T中,B的方向竖直向上.如果线圈平面与斜面平行,求通过回路的电流I至少要多大时,圆柱才不致沿斜面向下滚动?
解:线圈面积为 S 2Rl,磁矩大小为pm NIS,方向与B成θ角, 2分
所以磁力矩大小为Mm |pm×B| pmBsinθ NI2RlBsinθ, 4分
方向垂直纸面向外. 1分 重力大小为 G mg,力臂为L Rsinθ,重力矩为 Mg GL mgRsinθ, 2分
方向垂直纸面向里. 1分
圆柱不滚动时,两力矩平衡,即NI2RlBsinθ mgRsinθ, 3
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