Meandering CPW样品之.doc

Meandering CPW樣品之 製作、封裝與訊號測試 萬德昌 2002.05.15 Meandering CPW樣品之製作、封裝與訊號測試 本報告主要介紹Meandering CPW coplanar waveguide 樣品元件之製作，封裝與訊號測試。另外，我們在樣品製程中使用到的儀器有光罩對準機、光阻塗佈機、熱蒸鍍機，並利用網路分析儀對樣品元件進行頻譜特性的量測。 1. Meandering CPW樣品元件之製作 光罩的製作 Mask designed 在確定了樣品材料厚度 H 以及金屬導電層厚度 T 後，我們可藉由MicroWave Office軟體 見圖1-1,1-2 計算得到CPW樣品元件的設計參數線寬 滿足50Ω阻抗匹配 ，其參數記有中心傳導帶寬度 Width 及傳導帶與接地間間距 Gap ，再利用AutoCAD軟體完成樣品光罩的圖形 見圖1-3,1-4 ，最後送至交大半導體中心 SRC 完成CPW樣品元件光罩的製作。 以下為本實驗所設計的光罩線寬尺寸表: 樣品材料 Width μm Gap μm Si/SiGe 41 25 GaAs 43 28.5 另外,為了能夠在有限面積中增加CPW的傳輸距離 ~13.5mm ,故特別將傳輸路徑設計為曲折形狀,並在兩傳輸端點處依照符合阻抗匹配 impedance matching 的W與G之比例關係加大中心傳導帶的寬度面積，以利對外接線而便於進行CPW樣品元件的電性量測. 光微影製程 Optical lithography process 其主要目的是為了能在樣品表面留下由光阻劑所形成的完整特定圖案以便於樣品製作的後續步驟。我們所使用的是中興大學電機系江雨龍老師的黃光室設備，其中包括光阻塗佈機 Spinner 及光罩對準機 OAI 200 JBA’s Mask Alinger , 接觸式Ultra-UV光源475μm , 3.5~3.7 mw/cm2 。我們對應使用的是AZ6112正光阻液及AZ300顯影液，先利用光阻塗佈機使得樣品表面的光阻層均勻分佈 厚度約為1μm ，再利用光罩對準機對特定圖案曝光，被紫外光照射到的光阻可被顯影液溶解並清除，留下特定的光阻層圖案，即完成圖案轉移 pattern transfer 。 光微影製程的參數測試請見附錄A。 熱蒸鍍金屬材料 Metal deposition 經由光微影製程而得到良好圖案轉移後的樣品，便利用熱蒸鍍機來製作CPW樣品元件所需要的金屬導電層。我們所使用的金屬材料為Al，鍍至約為1500 ? 左右的厚度即可。另外我們還必須考慮光阻層與蒸鍍金屬間的相對厚度關係，若蒸鍍金屬鍍的太厚會導致在剝離光阻 lift-off 時，光阻層無法被完全剝離掉，或是在邊界部份易與導電金屬層產生牽連作用，而連同部份導電金屬層亦被掀起的失敗結果。 光阻剝離 lift-off 最後我們使用丙硐 ACE 作為光阻剝離劑，其好處在於它對光阻有很好的溶解率且不會傷害金屬與樣品本身，而CPW樣品元件製作至此即算完成。同時，我們可利用高倍率的金相顯微鏡來觀察樣品製作的好壞，主要是導電金屬層彼此間不能有短路或是斷路的情形發生，因為這會造成傳輸訊號的錯誤或是訊號根本無法傳遞。另外，導電金屬層邊緣的平整度將是影響訊號完整傳遞的最主要原因 leak current effect 。 Meandering CPW樣品元件之製作流程如圖1-5所示。 2. 樣品封裝 在完成製作CPW樣品元件後，為了配合實驗量測的裝置需要，我們必須得將樣品元件先作封裝的處理。 其樣品封裝程序簡介如下: 樣品元件接線： 將製作好的樣品元件清潔完後，利用專用的烙鐵頭尖端將銦點於樣品元件上的中心傳導帶端與接地端的適當位置處，再以金線 1mil 接線出來即可。或是可直接利用鎊線機接線，其使用原理為當鎊線機瓷嘴前端產生的金球與金屬表面接觸時 ball bounding ，瓷嘴前端會產生超音波振動及高溫使兩者可互相黏合而完成接線步驟。 b. 阻抗匹配系統： 為盡量避免訊號傳遞時的反射，我們以玻璃纖維為材質，再利用電路板印刷技術製作了特性阻抗50Ω的CPW transmission line做為pad使用，以求達到50Ω阻抗系統的匹配要求。最後，我們在作為pad的CPW上，對其兩端的中心傳導帶處各自再焊上再焊上IC Pin，即可利用高頻線及SMA接頭藉以連接高頻量測系統裝置並進行高頻訊號量測。CPW樣品元件之封裝示意圖請見圖2-1所示。 3. 訊號測試 此部份主要是要測試CPW樣品元件的基本傳輸特性，如穿透及反射的頻譜訊號等。另外亦可先行檢查此樣品元件能否適用在高頻量測系統或是低溫系統中，以免造成實驗資源的浪費。 在訊號量測時，我們使用一台Vector Network An