磁控溅射腔室设计开题报告讲解.doc

磁控溅射腔室设计 开题报告 班级:机械1101 学号:2011010008 姓名：郭奎宇 指导老师：侯悦民 综述 　　 1、已有成果及发展现状 从1842年格波夫在实验室中发现了阴极溅射现象开始，直到1970年才逐渐应用于实验室和小型生产。自20世纪80年代，以集成电路、信息存储、液晶显示器、激光储存器、电子控制器为主的电子与信息产业开始进入其高速发展时期，磁控溅射技术才从实验室应用真正的进入工业化规模生产应用领域。 磁控溅射镀膜技术主要应用于塑料、陶瓷、玻璃、硅片等制品来沉积金属或化合物薄膜，从而获得光亮、美观、经济的塑料、陶瓷表面金属化制品。装饰、灯具、家具、玩具、工艺美术、装潢等生活领域的制膜技术通常用磁控溅射方法，该方法还应用于军事保护膜、光学产品、磁记录介质、电路印制板、防潮增透膜、耐磨膜、防锈抗蚀等工业领域。 磁控溅射镀膜技术由于其显著的优点已经成为制备薄膜的主要技术之一，更因非平衡磁控溅射，中频溅射，高速溅射，自溅射等镀膜技术的发明，必将能给溅射镀膜技术的发展提供巨大的扩展空间，推动磁控溅射镀膜技术向工业及生活领域转化。 溅射沉积是在真空环境下，利用等离子体中的荷能离子轰击靶材表面，使靶材上的原子或离子被轰击出来，被轰击出的粒子沉积在基体表面生长成薄膜。 溅射沉积技术的发展历程中有几个重要意义的技术创新应用，现归纳如下： 二极溅射； 平衡磁控溅射； 非平衡磁控溅射； 脉冲磁控溅射； ①二极溅射是所有溅射沉积技术的基础，二极溅射应用于薄膜沉积，确立了溅射沉积技术的基本原理和方式。 在真空设备中通入惰性气体（一般为氩气Ar），在两极加上一定电压使其电离产生等离子体，靶材表面加上一定的负偏压，使得等离子体中的正离子飞速向靶材表面运动，撞击靶材表面使其产生溅射效应产生靶原子，靶材原子在真空室中自由运动，于工件表面沉积，从而形成薄膜。 实际上是靶材由固相变成气相再变回固相的过程。 优点：二极溅射镀膜最大优点就是结构简单，控制不困难，三个主要工艺参量是工作压力P（一般以氩气为工作气体），电压U，电流I。这三者只要有两个参数固定，第三个也就固定了，操作时重复性很好。如果操作得法，则溅射镀膜均匀区可达到靶直径的75%，膜厚偏差范围为 ±5 %～±10%。 缺点：首先，一般溅射装置的排气系统基本上都用油扩散泵系统，二极溅射的工作压力比较高（通常高于1Pa），在此压力范围内，扩散泵几乎不起作用，主阀处于关闭状态，排气速度小，本底真空和氩气中残留气氛对溅射镀膜影响极大。 其次，二极溅射镀膜的沉积速率低，10μm以上的厚膜不宜采用此法镀制。二极溅射速率之所以比较低，是由其放电形式所决定的。二极溅射阴极和阳极间的距离通常在2~6㎝左右，间距过大，沉积速率下降太快。间距过近，二次电子在两极间的运动距离过短，维持放电困难。靶面的热量耗散不出去也是阻碍溅射速率提高的一个原因。二极溅射靶电压高（几千伏），靶电流低，靶的热耗散功率成了提高靶功率的障碍。 最后，大量的二次电子直接轰击基片，使基片温度过高是二极溅射又一明显的缺点。这会使基片造成某些性能不可逆变化的辐射损伤。 二极溅射镀膜原理示意图 1-高压屏蔽；2-高压线；3-基片；4-钟罩；5-阴极屏蔽；6-阴极；7-阳极；8-加热器；9-Ar进口；10-加热电源；11-真空系统；12-高压电源 ②平衡磁控溅射，将永磁体或电磁线圈放到靶材背后，在靶材表面会形成与电磁方向垂直的磁场。在高压作用下氩气电离成等离子体，Ar+离子经电场加速轰击阴极靶材，靶材二次电子被溅射出，且电子在相互垂直的电场及磁场作用下，被束缚在阴极靶材表面附近，增加了电子与气体碰撞的几率，即增加了氩气电离率，使氩气在低气体下也可维持放电。 优点：平衡磁控溅射降低了溅射气体压力，同时也提高了溅射效率及沉积速率。 缺点：低气压放电产生的电子和溅射出的靶材二次电子都被舒服在靶面附近大约60mm的区域内，这样工件只能安放在靶表面50~100mm的范围内，这样小的镀膜区间限制了待镀工件的尺寸，较大的工件或装炉量不适合。且在平衡磁控溅射时，飞出的靶材粒子能量较低，薄膜和基体结合强度较低，低能量的沉积原子在基体表面迁移率低，易生成多孔粗糙的柱状结构薄膜。提高被镀工件的温度固然可以改善薄膜层的结构和性能，但是在很多情况下，工件材料本身并不能承受高温。 平衡磁控溅射原理图 ③非平衡磁控溅射，即在常规溅射靶基础上改变磁场分布，适当增强边缘N极磁场或削弱中部S磁场，保证N极、S极在靶表面构成的横向磁场仍能有效地约束溅射出的二次电子，维持稳定的磁控溅射放电；同时使得另一部分电子沿着较强N极产生的纵向磁场逃逸出靶表面，飞向镀膜区域。基于静电平衡原理，带电正离子也将随着电子一起飞向被镀工件；飞离靶面的电子还会与