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Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层Active region 有源区 Active component 有源元Active device 有源器件 Activation 激活Activation energy 激活能 Active region 有源(放大)区Admittance 导纳 Allowed band 允带Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝Aluminum - oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度Amorphous 无定形的,非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation雪崩激发
Background carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂Backward 反向 Backward bias 反向偏置Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合Band 能带 Band gap 能带间隙Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层Barrier width 势垒宽度 Base 基极Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应
Base transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数
Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢Bias 偏置 Bilateral switch 双向开关Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管
Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼Bond 键、键合 Bonding electron 价电子Bonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件Bound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿 Break over 转折Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区Built-in 内建的 Build-in electric field 内建电场Bulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合Burn - in 老化 Burn out 烧毁Buried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区
Can 外壳 Capacitance 电容Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子
Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位Carry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出Cascade 级联 Case 管壳Cathode 阴极 Center 中心Ceramic 陶瓷(的) Channel 沟道Channel breakdown 沟道击
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