半导体器件复习讲解.ppt

半导体器件物理 ? Dr. B. Li pn结 1. PN结的杂质分布、空间电荷区，电场分布 2. 平衡载流子和非平衡载流子 3. Fermi 能级，准Fermi 能级，平衡PN结能带图，非平衡PN结能带图 4. pn结的接触电势差 5. 非平衡PN结载流子的注入和抽取 6. 过剩载流子的产生与复合 7. 理想二极管的电流~电压关系，并讨论pn结的单向导电性和温度特性。 8. PN结大注入效应，大注入和小注入时的电流电压 特性的比较。（扩散系数增大一倍） 9. 比较pn结自建电场，缓变基区自建电场和大注入自建电场的异同点。 10.势垒电容与扩散电容的产生机制。 11. 三种pn结击穿机构。 雪崩击穿的条件？讨论影响雪崩击穿电压的因素。 12. PN结的交流等效电路？ 13. PN结的开关特性，贮存时间的影响因素。 14. 肖特基势垒二极管与PN结二极管的异同。 双极晶体管 1.晶体管基本结构(三个区域的掺杂浓度的数值大小) 。 2.晶体管处在放大区时的能带图，电流分布图，基区少子浓度分布图（四种偏置）。 3.晶体管具有放大能力的基本条件。 4.发射效率γ和基区输运因子?T的定义。提高晶体管电流放大系数的主要措施。 5.晶体管的Ebers-Moll模型及其等效电路和互易关系。 6. 晶体管共基极和共射极电流放大系数之间的关系。 7. 晶体管共基极和共射极输入、输出特性和转移特性曲线 8. 大电流效应及对器件特性的影响 大注入效应？Rittner效应(基区电导调制效应)和Webster(韦伯斯脱)效应（大注入内建电场效应）。 基区扩展效应(Kirk效应)。 发射极电流集边效应。 9. 什么是Early效应? 对器件特性有什么影响？ 10. 基区穿通和外延层穿通。 11.三种击穿电压的关系。 12. 写出载流子从发射极到集电极的总传输延迟时间的表达式，并说明各传输延迟时间的意义，如何提高晶体管的特征频率fT？ 13. f?, f?, fT ,fm的定义，及相互间的大小关系？ 晶体管在开关过程中，EB结和CB结偏压是如何变化的。 HBT的优势 MOS场效应晶体管 1. 阈值电压及其影响因素（衬底浓度和偏压，氧化层中电荷,氧化层厚度等）。（VT表达式） 2. MOSFET工作原理及其类型。输出特性曲线和转移特性曲线。 3. 亚阈值区及其特性（特点）。 什么是短沟道效应、窄沟道效应？DIBL效应？ MOSFET的伏安特性方程（线性区和饱和区） 栅跨导，漏源电导。 7. MOSFET小信号等效电路。MOS管截止频率表达式，提高频率性能的途径。 8. MOS器件等比例缩小原则。 9. MOS结构的C－V特性（理想、实际）。 10. 热载流子效应和闩锁效应。 11.现代MOS器件的发展趋势。 JFET和MESFET 1. JFET或MESFET工作原理。 2. 场效应晶体管(FET)同双极晶体管(BJT)比较。 半导体器件物理 ? Dr. B. Li