8.2.1PN结.pptVIP

8.2.1 PN 结 一、PN结的形成 三、PN结的击穿 1、齐纳击穿：（击穿电压低）4伏以下。 浓度高时，PN结窄，在同样电压下，反向电场很强，从而破坏共价键的结构，把电子拉出来。 2、雪崩击穿：（击穿电压高）6伏以上。 浓度低时，：PN结宽，电子在PN结中被加速，当遇到价电子时，就可以把其撞出来。 3、4伏~6伏，两种情况都可能电击穿 * P N 空间电荷区 1、浓度差引起载流子的扩散运动 2、内电场引起载流子的漂移运动 耗尽层 3、动态平衡时PN结 中的电流：扩散电流等于漂移电流，PN结中的电流为零。 8.2 半导体二极管 内电场 1 外加正向电压 内电场方向 E 外电场方向 R I P 区 N 区 外电场驱使P区的空穴进入空间 电荷区抵消一部分负空间电荷 N区电子进入空间电荷区 抵消一部分正空间电荷 空间电荷区变窄 扩散运动增强，形 成较大的正向电流 二、PN结的单向导电特性 P 区 N 区 内电场方向 E R 空间电荷区变宽 外电场方向 IR 2 外加反向电压 外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走 少数载流子越过 PN 结形成很小的反向电流 多数载流子的扩散运动难于进行 *