DDR-内存布线指导(Micron观点).docVIP

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  • 2016-09-19 发布于重庆
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DDR-内存布线指导(Micron观点)

DDR内存布线指导在现代高速数字电路的设计过程中,工程师总是不可避免的会与DDR或者DDR2,SDRAM打交道。DDR的工作频率很高,因此,DDR的Layout也就成为了一个十分关键的问题,很多时候,DDR的布线直接影响着信号完整性。下面本文针对DDR的Layout问题进行讨论。 信号引脚说明 VSS为数字地,VSSQ为信号地,若无特别说明,两者是等效的。VDD为器件内核供电,VDDDQ为器件的DQ和I/O供电,若无特别说明,两者是等效的。 对于DRAM来说,定义信号组如下: 数字信号组DQ,DQS,xDM,其中每个字节又是内部的一个信道Lane组,如DQ0~DQ7,DQS,LDM为一个信号组。 地址信号组:ADDRESS 命令信号组:CAS#,RAS#,WE# 控制信号组:CS#,CKE 时钟信号组:CK,CK# 印制电路板叠层,PCB Stackups 推荐使用6层电路板,分布如下: 电路板的阻抗控制在50~60ohm 印制电路板的厚度选择为1.57mm(62mil) 填充材料Prepreg厚度可变化范围是4~6mil 电路板的填充材料的介电常数一般变化范围是3.6~4.5,它的数值随着频率,温度等因素变化。FR-4就是一种典型的介电材料,在100MHz时的平均介电常数为4.2。推荐使用FR-4作为PCB的填充材料,因为它便宜,更低的吸湿性能,更低的电导

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