2014春期中考试--模电.docVIP

2014年春季学期 《电子技术基础 模拟部分 》期中考试试卷（闭卷） 一、填空题（20分，每空1分） 1、半导体中有 和 两种载流子参与导电。 2、PN结在 时导通， 时截止，这种特性成为 。 3、晶体管从结构上可以分为 和 两种类型。 4、晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 、 、 。 5、场效应管从结构上可分为两大类： 和 ；根据导电沟道不同又可以分为 、 。 6、放大电路的输入电压为10mV,输出电压为1V，则该放大电路的电压放大倍数为 ， 电压增益为 。 7、差分放大电路的输入电压，则它的差模输入电压 V, 共模输入电压 V。 8、差模放大电路多作为多级放大电路的 ，其作用是 。 二、选择题（30分，每题3分） 1、杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。 A、温度 B、掺杂工艺 C、掺杂浓度 D、光照 2、PN结形成后，空间电荷区是有（ ）组成。 A、空穴 B、价电子 C、自由电子 D、杂质离子 3、稳压二极管在电路中的主要作用是（ ）。 A、整流 B、稳压 C、发光 D、可变电容器 4、某NPN型管电路中，测得，则可知管子工作于（ ）状态。 A、放大 B、饱和 C、截止 D、不确定 5、下列场效应管中，无原始导电沟道的为（ ）。 A、N沟道JFET B、增强型PMOS管 C、耗尽型NMOS管 D、耗尽型PMOS管 6、在共射放大电路中，输入交流信号与输出信号相位（ ）。 A、相反 B、相同 C、正半周时相同 D、负半周时相反 7、选用差分放大电路的原因是（ ）。 A、减少温漂 B、提高输入电阻 C、减小失真 D、稳定放大倍数 8、OTL电路负载电阻电源电压，略去晶体管的饱和压降，其最大不失真输出功率为（ ）W。 A、10 B、5 C、2.5 D、1.25 9、功率放大电路中采用乙类工作状态是为了提高（ ）。 A、输出功率 B、放大器效率 C、放大倍数 D、负载能力 10、工作在放大区域的某三极管，当IB从20μA增大到40μA时，IC从1mA变为2mA则它的β值约为（ ）。 A、10 B、50 C、80 D、100 三、是非题（10分，每题1分） 1、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） 2、PN结的反向击穿可以分为电击穿和热击穿，都是不可逆的。（ ） 3、往本征半导体中掺入三价元素，形成P型半导体。（ ） 4、为消除放大电路的饱和失真，可适当增大偏置电阻。（ ） 5、放大器AV －50，其中负号表示波形缩小。（ ） 6、画直流通路时电容器应视为开路。（ ） 7、开启电压是增强型MOS管的参数。（ ） 9、乙类双电源互补对称功率放大电路工作时不存在失真。（ ） 10、两级放大器的第一级电压增益为40dB，第二级增益为20dB，其总增益为800dB。（ ） 四、计算题（40分，第一题6分，第二题10分，第三题14分） 1、电路如图1所示，设二极管为理想的，试判断下列情况下，电路中二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压。（1）;（2）。 2、晶体管电路如图2所示，已知晶体管的，求和。 3、在图3所示的电路中，已知晶体管 各电容的容量足够大。试求：（1）静态工作点；（2）、、。