实用联大《模电》补充内容及习题2011技术.docVIP

补充内容及习题 《模拟集成电路基础》 主讲教师：孟秀玲 二○一一年二月 补 充 内 容 第三章 第二节　放大电路静态工作点的稳定 一、静点稳定必要性 （一）不稳定因素：UCC波动，管子老化，温度变化。 ICBQ↑ Ta↑ β↑ ICQ↑ UBEQ↓ （三）解决问题的设想 Ta↑ ICQ↑ ICQ基本不变 电路上采取措施 IBQ↓→ICQ↓ 二、典型的Q点稳定电路（公压式电流负反馈稳定电路） （一）电路组成及稳定原理 1.电路组成： 多三个元件Re、Rb1、Ce 2.电压关系式： I2 = I1 + IBQ ≈ I1 （I1》IBQ） UBQ≈VCC [ Rb1 / ( Rb1+Rb2 ) ] 取决于VCC分压，与温度无关。Ta变,UBQ不变。 UBEQ↓= UBQ - UEQ = UBQ - IEQ↑Re 不变 3.稳定原理 Ta↑→ICQ↑→UCEQ↑→UEQ↑→UBEQ↓→IBQ↓ ICQ↓ 反馈——将输出量通过一定方式引回输入回路，影响输入量。 负反馈——反馈结果使输入量变化减小。 直流负反馈——在直流通路中的反馈。 （二）Q 点估算 I1 IBQ I1≈I2 (三) 动态参数估算 1e Ri = Rb1 // Rb2// hie R0 = RC 2.无旁路电容Ce Ri = RB1 // RB2// [hie + (1+ hfe) RE ] R0 = RC 第四章 第二节　MOS场效应管三种基本放大电路 （一）静态工作点设置（场效应管放大器的偏置电路） 在RS上产生自给负偏压加到栅源间 UGS = UG – US = -IDRS 栅压UGS由管子自身的电流提供，故称自给偏压。 IDQ 在RS上产生负栅压加到栅漏间。　　　 UGSQ＝UGQ－USQ ＝－IDQRS　 IGQ＝0，RG上无直流压降，加RG防止交流短路。 偏压两部分： RS提供自给偏压，为负压 　　　　　　 VDD经RG1、RG3分压,为正压 UGS = UG-US = VDD[RG1/(RG1+RG2)] - IDRS RG3作用：栅流为0，RG3上无直流，为提高输入电阻而接 （二）基本共源放大电路 1. 静态分析 UGSQ= UG－US= UG－IDRS UDSQ= UDD－ID(RD+RS) 由上式可解出UGSQ、IDQ和UDSQ。 2.动态分析 无栅流，UGS为开路电压接CS时: 一般 rds RD(( RL RS;rds可忽略。 输入电阻: Ri=RG3+(RG1// RG2)( RG3 输出电阻: Ro =RD // rds ( RD 未接CS时: 电压增益： （三）基本共漏放大电路 电压增益： 式中: RL=rds//R // RL ( RS // RL 输入电阻: Ri( ∞ : 与射极输出器类似: 输出阻抗低,电压增益近似为1 （四）基本共栅放大电路 电压增益：(rde近似开路) 输入电阻: 当rds近似开路时Ri= Ui / ID(1/ gm 所以：Ri ( R1 //（1/ gm） : Ro ( (rds+RS//R1)//RD ( RD 补 充 习 题 解 第2章补充题 B 2-1.选择正确答案填入空内。 （1）P型半导体中有两种载流子导电，多数载流子是 ，少数载流子是 。 A. 空穴 B. 电子 C. 离子 （2）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （4）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （5）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正