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半导体存储器研究进展 　　【摘要】目的：讨论半导体存储器研究进展。方法：查阅文献资料并结合个人经验进行归纳总结。结论：PC的内存储器通常由半导体存储器构成，可分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两大类。RAM可用来存放各种输入输出数据，中间计算结果以及程序与指令等，其内容既可读出，也可写入。而ROM的信息在使用时是不能改变的，它只能读出，故一般用于存放固定的程序、常数等。 　　【关键词】半导体存储器 研究 　　【中图分类号】G305 【文献标识码】A 【文章编号】2095-3089（2013）03-0252-02 　　1.半导体存储器的分类 　　PC的内存储器通常由半导体存储器构成，可分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两大类。RAM可用来存放各种输入输出数据，中间计算结果以及程序与指令等，其内容既可读出，也可写入。而ROM的信息在使用时是不能改变的，它只能读出，故一般用于存放固定的程序、常数等。 　　（1）随机存取存储器 　　RAM可以随时写入或读出信息，但它是一种易失性存储器，一旦断电，它所存储的信息会立即丢失。 　　按制造工艺的不同，RAM可分为双极型RAM和MOS型RAM两大类。双极型RAM的特点是：存取速度快、集成度低、功耗大、成本高。MOS型RAM的特点是：集成度较高、功耗较低、价格便宜，但存取时间较长。现在PC使用的都是MOS型RAM。按信息存储方法的不同，RAM又可分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两种。SRAM是靠双稳态电路来存储信息的。在加电后的使用期间，存储的信息不随时间的变化而改变（除非进行改写），所以称为静态。而DRAM是靠MOS管栅极电容上的电荷来保存信息的。任何电容都会漏电，所以超过一定时间（一般为1～2ms）后信息就会丢失，因此称为动态。为了使存储的信息不致丢失，每隔一定时间要按原来存储的内容重新写入，称为再生或刷新。与SRAM相比，DRAM具有集成度高、功耗低、价格便宜等优点。但DRAM需要定期刷新，因而它与CPU的连接比SRAM复杂。当系统所需内存容量较小时，常采用SRAM，如单板机，带微处理器或单片机的仪器、仪表及家用电器等。DRAM则广泛应用于内存容量较大的微机系统，例如个人计算机系统中的内存条。 　　随着CPU技术的改进，对DRAM速度的要求也越来越高。DRAM芯片的制造技术不断发展，陆续出现了FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM和DDR等内存芯片，现简述如下。 　　1）FPMDRAM。这种DRAM芯片通常划分为页面，所以也称为页面式DRAM（PageModeDRAM，PMDRAM），其存取时间一般为120ns左右。486PC/AT机问世后，PMDRAM的速度逐步提高，人们在页面前加上了快速（Fast）一词，称之为FPMDRAM，它成为了486PC使用的主流内存芯片，存取时间达到了60ns。 　　2）EDODRAM，即扩充数据输出DRAM（Extended-DataOutputDRAM）。CPU访问某一内存单元后，很可能会接着访问与之邻近的内存地址，而EDODRAM的特点，就是每次访问后就挂在刚访问过的地址处，以便加速对邻近地址的访问。其存取速度较FPMDRAM提高了15%～40%，访问时间为20～30ns，是第一代奔腾机的主流芯片。 　　3）SDRAM，即同步式DRAM（SynchronousDRAM）。随着PC总线速度的不断提高，EDODRAM的存取速度仍然跟不上数据总线的处理速度，它的工作频率很难突破66MHz。SDRAM的目标，就是使CPU对内存芯片的访问与时钟同步，从而达到与CPU速度的匹配。为此SDRAM采取了双存储体结构，当一个存储体被CPU读取数据时，另一个存储体将作好读数的准备，两个存储体自动切换。SDRAM的工作频率为IOOMHz、133MHz。 　　4）DDRSDRAM，即双倍数据速率同步DRAM（DoubleDataR ateSDRAM，DDRSDRAM），是由SDRAM发展而来的新技术。DDR与SDRAM相比有两个不同点：首先，它使用了更多、更先进的同步电路；其次，DDR使用了延时锁定回路（Delay-LockedLoop，DLL）来提供一个数据滤波信号。SDRAM只在时钟脉冲的上沿进行一次数据写或读操作，而DDR不仅在时钟脉冲的上沿进行写或读操作，而且在时钟脉冲的下沿也能够进行一次对等的写或读操作。这样，理论上DDR的数据传输能力就比同频率的SDRAM提高了一倍。假设系统前端总线（FrontSideBus，FSB）的频率是100MHz，DDR的频率可以倍增为200MHz，带宽也倍增为1.6GB/s（8B×100MHz×2）。 　　（2）只读存储器 　　存放在ROM中的信息在断电后