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8pXF-3 薄いセル中のセシウム原子のＥＩＴ信号Ⅱ 明大理工，通総研A　 木下基、福田京也A、長谷川敦司A、細川瑞彦A、立川真樹 Electromagnetically induced transparency of Cs in a thin cell Ⅱ Meiji Univ.，CRLAM.Kinoshita，K.FukudaA，A.HasegawaA，M.HosokawaA，and M.Tachikawa’ ４）に周波数安定化したカップリング光とそれよりも９１９２．７ＭＨｚ（Ｃｓ原子の基底状態の超微細構造準位間周波数）だけ高い周波数をもつプローブ光を同軸上に発生させ、セル壁面と垂直方向から照射する。レーザー光の進行方向と平行に静磁場を加えてエネルギー準位をゼーマン分裂させ、クロック遷移（ｍＦ ３-ｍＦ ４ ０-０）によるＥＩＴ信号の半値全幅を測定した。照射するカップリング光とプローブ光は共に円偏光（σ+）とし、ΔｍＦ ２の遷移だけを選択している。 図１にセルの厚さが１mm、４０mmにおけるＥＩＴ信号線幅のレーザー光強度依存性を示す。どちらのセルでもレーザー光強度が比較的高い領域では、レーザー光強度の増加に伴い信号線幅は線形に増加をしている（図１a）。これはpower broadeningによるものである。しかし、レーザー光強度が低い領域において、４０mmのデータと１mmのデータとでは異なる依存性を示している（図１ｂ）。セル中の原子は光ポンピングによってｄａｒｋ ｓｔａｔｅに遷移する。この遷移速度はレーザー光強度に依存し、レーザー光強度が低い領域では遷移速度も遅くなる。このため、薄いセル中にある速度の速い原子はレーザー光強度が低いときdark stateに遷移する前にセル壁面との衝突により緩和する。その結果、速度の遅い原子のみがＥＩＴ信号に寄与して、図１ｂのような依存性を示したと考えられる。 セル：４０ｍｍ 図１　ＥＩＴ信号線幅のレーザー光強度依存性 セル：１ｍｍ セル：１ｍｍ セル：４０ｍｍ 〔１〕福田　他、日本物理学会２００２年春季大会　25aWM-10