電流擁擠效應(currentcrowdingeffect).pptVIP

射極電流擁擠效應 * 授課老師:鄒文正 老師 學生:董冠璋 學號:M99L0225 Outline 形成原因 造成之影響 改善方法 參考文獻 * 形成原因 * 由於HBT垂直式結構，使基極電流橫向流入射極，基極電流橫向流入射極之過程產生電阻與電位差，使得基-射極接面的電場分布不均，而使電流由射極周圍向中心遞減，因此引起射極電流聚集在邊緣，此現象稱為射極群聚現象(Emitter crowding)。 參考文獻 [1]〝半導體元件物理與製程技術〞施敏著 [2] 〝VBIC 模型應用於不同尺寸異質接面雙載子電晶體之研究〞 徐慧芬 * END * *