《半导体物理学》Semi_Phys07.ppt

杂质在砷化镓中的存在形式(四种情况)： 1）取代砷 2）取代镓 3）填隙 4）反位 硅在砷化镓中的双性行为 四族元素硅在砷化镓中会产生双性行为，即硅的浓度较低时主要起施主杂质作用，当硅的浓度较高时，一部分硅原子将起到受主杂质作用。 这种双性行为可作如下解释： 因为在硅杂质浓度较高时，硅原子不仅取代镓原子起着施主杂质的作用，而且硅也取代了一部分V族砷原子而起着受主杂质的作用，因而对于取代Ⅲ族原子镓的硅施主杂质起到补偿作用，从而降低了有效施主杂质的浓度，电子浓度趋于饱和。 §2.3 晶体中的缺陷与杂质 一、点缺陷 弗仑克尔缺陷：原子的热运动能量大到能克服其所在位置的热能，脱离格点的位置，使格点处出现空位，离开正常格点位置的原子落入晶格间隙之中，成为自间隙原子； 肖特基缺陷：离开正常格点位置的原子移动到晶体表面，形成； 若表面原子进入晶体内部晶格，则形成单独的间隙原子。 ①热缺陷的数目随温度升高而增加 ②热缺陷中以肖特基缺陷为主（即原子空位为主）。原因：三种点缺陷中形成肖特基缺陷需要的能量最小。（可参阅刘文明《半导体物理学》p70～p73，或叶良修《半导体物理学》p24和p94） ③退火后可以消除大部分缺陷。半导体器件生产工艺中，经高温加工（如扩散）后的晶片一般都需要进行退火处理。离子注入形成的缺陷也用退火来消除。 1）缺陷处晶格畸变，周期性势场被破坏，致使在禁带中产生能级。 2）热缺陷能级大多为深能级，在半导体中起复合中心作用，使非平衡载流子浓度和寿命降低。 3）空位缺陷有利于杂质扩散 4）对载流子有散射作用，使载流子迁移率和寿命降低。 二、线缺陷 指位错，分为两类，刃位错和螺位错 ◆刃位错 ◆螺位错 1）位错线上的悬挂键可以接受电子变为负电中心，表现为受主；悬挂键上的一个电子也可以被释放出来而变为正电中心，此时表现为施主，即不饱和的悬挂键具有双性行为，可以起受主作用，也可以起施主作用。 2）位错线处晶格变形，导致能带变形 3）位错线影响杂质分布均匀性 4）位错线若接受电子变成负电中心，对载流子有散射作用。 5）影响少子寿命，原因：一是能带变形，禁带宽度减小，有利于非平衡载流子复合；二是在禁带中产生深能级，促进载流子复合。 三、面缺陷---层错 * * 1. Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的杂质和缺陷 §2.2 化合物半导体中的杂质能级 ●施主杂质 Ⅵ族元素(Se、S、Te) 在 GaAs 中通常都替代Ⅴ族元素As原子的晶格位置。 Ⅵ族杂质在GaAs中一般起施主作用，为浅施主杂质。 ●受主杂质 Ⅱ族元素（Zn、Be、Mg、Cd、Hg）在GaAs中通常都取代Ⅲ族元素 Ga 原子的晶格位置。 Ⅱ族元素杂质在 GaAs 中通常起受主作用，均为浅受主杂质。 ●中性杂质 Ⅲ 族元素（B、Al、In）和Ⅴ族元素（P、Sb）在 GaAs 中通常分别替代 Ga 和 As，由于杂质在晶格位置上并不改变原有的价电子数，因此既不给出电子也不俘获电子而呈电中性，对 GaAs 的电学性质没有明显影响。 在禁带中不引入能级 ● 两性杂质 Ⅳ族元素杂质（Si、Ge、Sn、Pb）在GaAs 中的作用比较复杂，可以取代Ⅲ族的 Ga，也可以取代Ⅴ族的 As，甚至可以同时取代两者。 Ⅳ族杂质不仅可以起施主作用和受主作用，还可以起中性杂质作用。 在掺 Si 浓度小于 1×1018 cm-3 时，Si 全部取代 Ga 位而起施主作用，这时掺 Si 浓度和电子浓度一致； 而在掺 Si 浓度大于 1018 cm-3 时，部分 Si 原子开始取代 As 位，出现补偿作用，使电子浓度逐渐偏低。 例如： GaAs 晶体中的点缺陷 当 T ＞ 0 K 时： ● 空位 VGa、VAs ● 间隙原子 GaI、AsI ● 反结构缺陷 — Ga原子占据 As 空位，或 As 原子占据 Ga 空 位，记为 GaAs和 AsGa。 化合物晶体中的各类点缺陷可以电离，释放出电子或空穴，从而影响材料的电学性质。 负离子空位 产生正电中心，起施主作用 正离子填隙 正离子空位 负离子填隙 产生负电中心，起受主作用 VI族（Se, S, Te）－施主杂质 II族（Zn, Be, Mg, Hg）－受主 III族（B, Al, In）－中性杂质 IV族（Si, Ge, Sn, Pb）－两性杂质 缺陷 AsGa－施主 GaAs－受主 VGa－受主 VAs、AsI－施主 空位 间隙原子 杂质 点缺陷（热缺陷）特点 ： 点缺陷对半导体性质的影响： 反结构缺陷：对于化合物半导体存在一种反结构缺陷，即应该是A原子的格点上为B原子所占据，应为B原子的格点为A原子所据。 棱位错对半导体性能的影响： * *