《半导体物理学》Semi_Phys08.ppt

第三章 半导体中载流子的统计分布 讨论热平衡态下本征半导体和杂质半导体中载流子浓度。 本征激发：电子从价带通过热激发或光照跃迁到导带，产生电子和空穴。 复 合：电子从高能态越迁到低能态，将能量传给晶格的过程，使导带中的电子和价带中的空穴减少。 热 平 衡：温度一定时，电子和空穴的产生和复合建立了一种动态平衡，称为热平衡。具有统计平均意义，宏观性质保持不变 热平衡载流子：处于热平衡态下的导电的电子和空穴。热平衡是一种动态平衡。 半导体的导电性强烈地随温度变化。主要是由于半导体中载流子浓度随温度而变化所造成的。 计算半导体中的电子和空穴（载流子）数目主要与下列因素有关： 1.状态密度—允许的量子态按能量如何分布； 2.电子占据的几率—电子在允许的量子态上如何分布； 3.状态范围（能量范围）。 本章重点 计算一定温度下本征和杂质半导体中热平衡载流子浓度； 探讨半导体中载流子浓度随温度、杂质浓度变化的规律。 §3.1状态密度 状态密度：单位能量间隔中(E到E+dE)包含的量子态的数目。 g(E)=dZ/dE 一、k 空间量子态的分布 在k空间中，状态的分布是均匀的。每个状态占据同等大小的体积（k空间），每一个格点所占的体积为1/V。波矢密度为V。考虑自旋，量子态密度为2V. 二、状态密度(能级密度或能态密度) 设导带底在 k=0 处，并具有抛物线形的E - k 关系，则， 代入可得 导带底附近状态密度 对于实际半导体材料 设导带底的状态有s个，根据同样方法可求得 其中 mdn称为导带底电子状态密度有效质量。 对于Si，导带底有六个对称状态，s=6，mdn=1.08m0 对于Ge，导带底有八个1/2对称状态，s=4，mdn=0.56m0 同理可得价带顶附近的情况 价带顶附近E(k)与k关系 价带顶附近状态密度 其中 对于Si，mdp=0.59m0 对于Ge，mdp=0.37m0 * 能量E~(E+dE)间的量子态数