La(Ca,Sr)MnO3Agx多晶复合材料制备及其性能汇编.ppt

La Ca,Sr MnO3:Agx多晶复合材料制备及其性能 图1.理想的钙钛矿ABO3晶格结构 图2.锰离子3d电子的能级分裂图 图3.Jahn－Teller效应模型 一些金属离子的外层d电子云分布是不对称的，当被对称的氧离子包围时，为了使能量最低，金属离子与氧环境之间发生相互作用并发生畸变，这一现象称为Jahn-Teller效应 。 Mn3+有4个3d电子，Mn4+有3个3d电子，处于氧八面体中心的Mn3+会引起该八面体的畸变，Mn3+所在的八面体沿一个方向被拉长了0.12?。 这就是说，当电子从Mn3+经过氧向Mn4+转移时，不仅仅是电荷的移动，它还必须伴随着晶格畸变的移动，这就是电子-声子耦合的强关联方式。 图4.La1-xSrxMnO3电阻率对数与温度和掺杂量x的关系曲线箭头所指为居里温度T 没有搀杂的锰稀土氧化物REMnO3的电阻率在低温下都很高。随温度的上升大多数样品的电阻率降低，具有半导体特性。 掺入二价碱土金属后其低温电阻率随掺入量的增加而下降，但掺入量较多后，电阻率又逐渐增大。 图5.La1-xSrxMnO3不同掺杂程度单晶的电阻率温度系，箭头表示铁磁相转变的居里温度 两种常见的A型（在同一MnO层中Mn离子磁矩取向相同，相邻两层的Mn离子磁矩相反）和 G型（最近邻Mn离子之间的磁矩取向相反）反铁磁序示意结构。 近几年的大量研究都表明锰氧化物超巨磁阻材料在高温区都表现为顺磁性，低温区都表现出铁磁性或反铁磁性，并且在磁相变的同时伴随着电性质的变化，通常用相图来表示不同成分，不同温度下的电磁特性。 不同温度下La1-xCaxMnO3和La1-xSrxMnO3的磁性和导电性相图 从图中可以看出当Ca或Sr的掺杂量在33%时相变温度最高。其中CI为自旋成角绝缘态，COI为电荷有序绝缘态，CAFI为倾斜反铁磁绝缘态，FI、AFM和PI为铁磁、反铁磁和顺磁绝缘态，FMM和PMM表示铁磁和顺磁金属态。R代表菱面体结构，O′代表JT畸变的正交结构，O代表旋转的八面体正交结构。TC，TN和TCO分别为居里温度、Neel温度和电荷有序温度，一般情况下，TN TCO TC。只有在FM和FI区内的样品才有可能表现出巨磁电阻效应。 超交换作用也被称为间接交换作用，是指金属的外层电子先与近邻的氧P电子进行交换，再与次近邻的其它金属离子的外层电子交换，从而导致磁性有序的相互作用。稀土金属间化合物中的间接交换作用是导电电子与内层电子交换作用理论，称为RKKY理论。 双交换作用是指两个电子同时通过氧离子与近邻金属离子发生的交换作用。对RE1-xAExMnO3体系中同时出现的电磁相变现象的解释普遍是基于Zenner在50年代提出的双交换模型（简称DE模型）。 图9.Mn3+的eg电子通过O2-的中介跳到Mn4+传导电流双交换作用图 在这一过程中，电子跳跃的几率与各Mn离子局域t2g自旋排列密切相关，所以当磁场使氧化物从顺磁性或反铁磁性转变为铁磁性时，其电阻率将发生巨大变化，从而产生超巨磁阻效应。 * La1-x Ca,Sr xMnO3:Ag多晶复合材料的结构在不同的组分、制备工艺、热处理条件下可以形成正交、四方、菱形或单斜等相。在不同价态锰离子转变时， Mn4++e-——Mn3+的过程中，材料的导电率有很大的变化，可转变为金属型导电性。在较高温度下，由于自旋无序散射作用，材料的导电性质向半导体型转变。大量的研究表明掺杂La1-x Ca,Sr xMnO3材料的Tp和Tc强烈地依赖于材料组分和微结构。Mn4+离子组分是决定Tc和Tp的主要参数。 CMR材料的最大特点就是随温度的降低有一个顺磁－铁磁的转变，这一转变还伴随着绝缘体到金属的相变，且在该温度转变点Tc附近，CMR材料具有很大的温度电阻系数TCR值。利用这一特性可以制成测辐射热仪（Bolometer）。 利用薄膜在倾斜衬底上的各向异性Seedeck效应 两种金属接成闭合回路并使两个接头处的温度不同时,在闭合回路中会有电流形成, 开路下则有电压产生, 这一现象叫做温差电效应即塞贝克效应。 引起的激光感生热电电压信号，该信号峰值与激光功率/能量成较好的线性关系而将该薄膜制成激光功率/能量的探测器件； 利用薄膜在随温度变化时的铁磁金属到顺磁绝缘体的转变产生的电阻的剧烈变化来制作超巨磁阻（CMR）测辐射热仪。 　　　红外探测器技术已从第一代的单元和线阵列发展到了第二代的二维时间延迟与积分（TDI）8～12μm的扫描和3～5μm的640×480元InSb凝视阵列，目前正在向焦平面超高密度集成探测器元、高性能、高可靠性、进一步小型化、非致冷和军民两用技术的方向发展，正在由第二代阵列技术向第三代微型化高密度和高性能红外焦平面阵列技术方向发展。 所谓强关联作用就是电子电荷的、自旋的以及晶格的自由度之间