金纳米线制备工艺可研报告.pptVIP

金纳米线制备 金纳米线制备 商用阳极氧化铝薄膜(AAO, Whatman, Anodisc 25) 模板有两面，底面有连通的孔(直径20 nm, 深2 μm)； 顶层是不连接的圆柱孔(直径180 nm，密度109/cm2，深58 μm)形成的氧化铝载体层； 底层作为过滤器，顶层用来生长纳米线； 薄膜周围与聚丙烯环相连，以便于操作处理。 Sadeghian RB, Kahrizi M. A novel miniature gas ionization sensor based on freestanding gold nanowires. Sensors and Actuators A: Physical. 2007, 137(2): 248-255. 金纳米线制备 商用阳极氧化铝薄膜(AAO, Whatman, Anodisc 25) 模板有两面，底面有连通的孔(直径20 nm, 深2 μm)； 顶层是不连接的圆柱孔(直径180 nm，密度109/cm2，深58 μm)形成的氧化铝载体层； 底层作为过滤器，顶层用来生长纳米线； 薄膜周围与聚丙烯环相连，以便于操作处理。 Sadeghian RB, Kahrizi M. A novel miniature gas ionization sensor based on freestanding gold nanowires. Sensors and Actuators A: Physical. 2007, 137(2): 248-255. 金纳米线制备 将AAO安装在定制的设备上：覆盖调整环和顶面，露出底面； 将设备安装到直流磁控溅射仪里，在模板底面溅射1700 ?厚的银，顶层不受影响以便将其放到电镀溶液中； AAO模板底部溅射Ag电镜图 金纳米线制备 金纳米线(AuNWs)的电镀在特制的单元中进行。 电镀是双向进行的，即既在孔中，又在AAO模板表面，因此衬底的金属层会变得更厚。 因为溅射的Ag不能完全覆盖孔，暴露在电镀液中导电的地方会形成圆形。 随着电沉积的进行，管状结构会按照溅射金属圆的方向往孔里长。 几个小时的沉积后，最终纳米管自己会密封。 孔填充机理图 金纳米线制备 用稀释的导电胶将长好的AAO模板的底部与Ag-Ti覆盖的硅基底相连，小心气泡使纳米线薄膜起皱； 将结构浸入到2M NaOH溶液中(22 ?C, 7 min)溶解模板，获得直立的AuNWs。 长好的AuNWs电镜图 金纳米线制备 AuNWs 2?8 μm长，由于溶液蒸发时的表面张力，长的AuNWs会倒塌； AuNW薄膜 (AuNWs, AAO底部电沉积的衬底金，导电胶)厚~70 μm 长好的AuNWs电镜图 金纳米线制备 AuNWs电化学生长同上篇文献 为了防止AuNWs倒塌，腐蚀模板时间缩短，只腐蚀25% Sadeghian RB, Kahrizi M. A novel gas sensor based on tunneling-field-ionization on whisker-covered gold nanowires[J]. Sensors Journal, IEEE. 2008, 8(2): 161-169. 金纳米线制备