实验五六_光敏三极管.docVIP

五、光敏三极管的光电特性及伏安特性 一、实验原理： 光注入 用波长比较短的光 照射到半导体 光照产生非平衡载流子 产生的非子一般都用 n， p来表示。 达到动态平衡后： n n0+ n ，p p0+ p； n0，p0为热平衡时电子浓度和空穴浓度， n， p为非子浓度。 光敏三极管是一种光生伏特器件，用高阻P型硅作为基片，然后在基片表面进行参杂形成PN结。N区扩散得很浅为1μm左右，二空间电荷区，（即耗层区）较宽，所以保证了大部分光子入射到耗层区内。光子入射到耗层内被吸收而激发电子-空穴对，电子-空穴对在外加反向偏压VCB的作用下，空穴流向正极，形成了三极管的反向电流即光电流。光电流通过外加负载电阻RL后产生电压信号输出。 光敏三极管原理与结构 图给出了 NPN 型光敏三极管基本线路。基极开路，基极-集电极处于反偏状态。当光照射到 PN 结附近时，由于光生伏特效应，产生光电流。该电流相当于普通三极管的基极电流，因此将被放大（ 1+ β ）倍，所以光敏三极管具有比光敏二极管更高的灵敏度。图为光敏晶体管的光照特性曲线。它给出了光敏晶体管的 输出电流 Ic 和照度 Ee 之间的关系 。从图中可以看出它们的曲线近似地可以看作是线性关系 。图为锗光敏晶体管的伏安特性曲线.光敏晶体管在不同照度 Ee 下的 伏安特性，就象一般晶体管在不同的基极电流时的输出特性一样。 只要将入射光在发射极与基极