吉林大学近代物理及实验课程_课件第4章汇编.ppt

2、p型半导体 四价的本征半导体Si、Ｇe等掺入少量三价的杂质元素（如B、Ga、In等）形成空穴型半导体，也称p型半导体。 P型半导体 B Si Si Si Si Si Si Si ΔEA ΔEg 空 带 满 带 受主能级 ▲在P型半导体中 空穴 ─ 多数载流子 电子 ─ 少数载流子 受主（acceptor 能级：这种杂质的能级紧靠满带顶处，图中 eV,满带中的电子极易跃入此杂质能级，使满带中产生空穴。 ▲导电机制：主要是由满带中空穴的运动 形成的。 ▲这种掺杂使满带中的空穴的浓度较纯净半导体的空穴的浓度增加了很多倍，从而使半导体的导电性能增强。 三、半导体的特性及应用 1.电阻率和温度的关系 半导体的电阻率随温度的升高而迅速下降 应用：热敏电阻. 体积小，热惯性小，寿命长, 广泛应用于自动控制技术。 半导体硒，在照射光的频率大于其红限频率时，它的电阻值有随光强的增加而急剧减小的现象。 应用: 光敏电阻 photosensitiveresistanceresistance 自动控制、遥感等技术中的一个重要元件。 2.半导体的光电导现象 1 p-n结的形成 P-N 结 n型 p型 3、p‐n结 n区电子向p区扩散, p区空穴向n区扩散, 在交界面处形成正负电荷的积累，交界处形成电偶层，此即p‐n结，厚度约 m。 ▲稳定后，n区相对p区有电势差U0 n比p高）。p‐n 结也称势垒区。 P-N 结 n型 p型 ▲ p‐n结处存在由n区?p区的电场 称为内建场 。此电场将遏止电子和空穴的继续扩散，最后达动平衡状态。 U0 电子能级 电势曲线xxian 线 电子电势能曲线 P-N结 能带的弯曲对n区的电子和p区的空穴都形成一个势垒,阻碍n区电子和p区空穴进入对方区域. 这一势垒区也称阻挡层 deplectionzone）。 空带 空带 P-N结 施主能级 受主能级 满带 满带 p‐n结的形成使其附近能带的形状发生了变化。 由于p‐n结处阻挡层的存在，把电压加到p-n结两端时,阻挡层处的电势差将发生变化. ◆ 正向偏压 p型 n型 I E阻 E外 V 伏 ３０ ２０ １０ 毫安 正向 0 0.2 1.0 P—N结的伏安特性 锗管 2? p‐n结的单向导电性 ◆ 反向偏压 由上可知，p‐n结可以作成具有整流、开关等作用的晶体二极管 diode 。 p型 n型 I E阻 E外 击穿电压 V 伏 I -１０ -２０ -３０ 微安 反向 -20 -30 Ｐ—Ｎ结的反向击穿 4.光生伏特效应 光生电动势的大小正比于光辐射的强度。 应用：光电池。 ◆把两种不同材料的半导体组成一个回路，并使两个接头具有不同的温度，会产生较大的温差电动势。温度每差一度，温差电动势能达到、甚至超过1毫伏。 ◆利用半导体温差热电偶可以制成温度计，或小型发电机。 5.温差热电偶 * 第一节 分子结构及分子光谱 第二节 固体的能带 第三节 半导体 第四节 超导电性和超导体 第四章 分子和固体 一.氢分子 计算结果表明 原来都处于基态（1s态） 的两个氢原子组成的体系有两种量子状态 4.1 分子结构及分子光谱 4 2 0 -2 -4 E eV r 10 -9 cm 二.分子的能级与分子光谱 1.分子中的电子运动和电子能级Ee 电子能级的跃迁产生的光谱位于紫外及可见光区 2.分子的振动和振动能级Ev 纯振动光谱 近红外区 3. 分子的转动能级Ek 纯转动光谱 远红外及 微波区 1. 一般包括若干谱带系，不同谱带系相应于不同的电子能级之间的跃迁 2.一个谱带系含有若干谱带，不同谱带 相应于不同的振动能级之间的跃迁 3.同一谱带内又包含有若干密集的谱线，相应于转动能级之间的跃迁 特征： 分子光谱便是一组带光谱 多原子分子内部的运动状态包括三大类：1.电子的运动，2.各原子核在平衡位置附近的振动，3.分子整体绕质心的转动。所以分子的总能量： 固体：晶体、非晶体 晶体： ?有规则对称的几何外形； ?物理性质 力、热、电、光… 各向异性； ?有确定的熔点; ?微观上，分子、原子或离子呈有规则的周期性排列，形成空间点阵 晶格 . 晶体的性质与这种内在的周期性有关。 4.2 固体的能带 1.电子共有化 （1）孤立原子 单价 ● ● r + -e U V U V r ● + 电子能级 势阱 旋转对称 势垒 + 一. 晶体的能带结构 电子所在处的电势为U，电子的电势能为V,电势能是一个旋转对称的势阱。 2 两个原子情形 3 大量原子规则排列情形 晶体中大量原子 分子、离子 的规则排列成点阵结构，晶体中形成周期性势场。 V V r ● ● + + ●