晶体管放大电路可研报告.ppt

3 构建Q稳定的偏置电路 1) 引入负反馈 ——能够稳定被反馈量 2) IE作为反馈量 ——通过电阻RE采样 IC T RB +UCC RC IB RE 3) UBE ? =UB ?UE? 0 uBE / V iB / ?A UT 4) UB 稳定（不随温度变化） RB2 RB1 ? IC? —固定分压式偏置电路 UB不变 IC RB +UCC RC IB RE RB2 RB1 5) 固定分压式偏置电路的静态工作点计算 ① 估算法 IB =0 B E IE Q( ) IB IC UCE 5) 固定分压式偏置电路的静态工作点计算 ②戴维南（输入回路） IC T RB +UCC RC IB RE RB2 RB1 ? ? IC T +UCC RC IB RE RB UBB ? ? IC RB +UCC RC IB RE RB2 RB1 B E IE 二、信号通路及动态分析 5) 固定分压式偏置电路的静态工作点计算 ① 估算法 ② 戴维南 IC T RB +UCC RC IB RE RB2 RB1 分析任务 静态分析 动态分析 (Q) (Au、ri、ro) 小信号模型 * 一次课（复习运放、实验解释） * 一次课（复习运放、实验解释） * uCE uCES ，集电极电位较低，收集电子的能力较差，所以，IC近似正比于UCE 当uCE uCES 时， 能过来的电子都过来了。所以IC近似于常量，这常量取决于集电极的电子数的多少。 * END 第17章 晶体管放大电路 §1 主要晶体三极管器件 §2 晶体管的外部特性及其电路模型 §3 晶体管放大电路的构成 §4 晶体管放大电路 §1 主要晶体三极管器件 半导体材料 与外电路有三个端子相接 类型 双极型晶体管 单极型晶体管 (场效应管） 材料 硅 锗 (NPN、PNP) (N沟道、P沟道) ? ? 习惯称晶体管、三极管 习惯称场效应管、MOS管 双极结型晶体管 ( Bipolar Junction Transistor) (BJT) C B E B E C (Collector) (Emitter) (Base) C B E 结构非对称 ! 收集载流子 传送和控制载流子 向基区注入载流子 SiO2 N P N 场效应晶体管 ( Field Effect Transistor) (FET) 反型层 导电沟道 半导体角度 导电角度 SiO2 金属 D S G 源极S 栅极G： gate 或 grid 漏极D MOS FET 分类 NPN型 N沟道 PNP型 P沟道 * 加电压才有电场 增强型 * 不加电压就有电场 耗尽型 绝缘 吸引电子 赶跑电子 半导体片 §2 晶体管的外部特性及其电路模型 一、三个引出端的接法 输入 输出 以发射极E为公共端 ---共射极 工业常用这种接法 高频电路、宽频带放大器 以基极B为公共端 ---共基极 下面主要讨论共射极的情况。 以集电极C为公共端 ---共集电极 二、输入特性及输入侧电路模型 1 输入特性 基极、发射极间电压UBE和基极电流iB的关系 0 uBE / V iB / ?A UT iB ~ uBE UCE≥1 1) UT: 死区电压 硅 0.5V 锗 0.2V Q uBEQ 3) uBE：0.7V(硅) 0.3V(锗) 2) iB：uBEUT 单位：?A 2 输入侧电路模型 ? ?uBE ?uBE? ?iB 2 输入侧电路模型 输入侧电路模型 ? ?uBE ?uBE? ?iB 三、 输出特性及输出侧电路模型 1 输出特性 iC ~ uCE UCES uCE /V iC /mA 0 iB =0 iB =IB1 iB = IB2 iB = IB3 iB = IB4 iB = IB5 IB5IB4 IB3 IB2 IB1 UCES较小，硅 0.3V 锗 0.1V C E B 截止区 饱和区 放 大 区 2 输出侧电路模型 1) iB=0 iC=ICEO?0 2) iB0 ，晶体管截止状态 ，电路模型为断路 晶体管截止 iC0 且 uCE uCES uCE? uCC一定 uCE ?0 ，晶体管饱和状态 ，电路模型为短路 3) iB ?0 且 uCE uCES ?uCEQ ICS DiC rce?? uCE iC/mA IBQ 晶体管放大状态的电路模型 uB uT uCE uCES iC =b iB 四、晶体管放大状态的电路模型 晶体管放大状态下的电路模型 晶体管