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帯隙基准电路设计 （东南大学集成电路学院） 基准电压源概述 基准电压源 Reference Voltage 是指在模拟电路或混合信号电路中用作电压基准的具有相对较高精度和稳定度的参考电压源，它是模拟和数字电路中的核心模块之一，在DC/DC，ADC，DAC以及DRAM等集成电路设计中有广泛的应用。它的温度稳定性以及抗噪性能影响着整个电路系统的精度和性能。模拟电路使用基准源，是为了得到与电源无关的偏置，或是为了得到与温度无关的偏置，其性能好坏直接影响电路的性能稳定。在CMOS技术中基准产生的设计，着重 图 2.1 正温度系数的产生电路 2.7 因此可实现正温度系数： 2.8 当T 300K时，，n可以由多个双极性晶体管并联实现。 .通过正温度系数和负温度系数的叠加可以消除整个电路的温度系数，具体方法见下节中的基本结构。 基本结构 利用放大器两个输入端的电压相近就可以很方便得将正负温度系数特性结合起来，如图2.2： 图 2.2 基本带隙电压源产生电路 这里放大器以X和Y端为输入，驱动R1和R2电阻的上端，假设放大器为理想运放，可以使得X点和Y点稳定在近似相等的电压。基准电压可以通过放大器的输出端得到。根据对图2.2的分析，不考虑运放的失调电压情况下，，所以得到输出电压为： 2.9 同时得到： 2.10 根据前面的分析，如果适当的选择n、R2和R3的值就可以使得，此时可近似认为输出电压与温度无关。实际上因为的温度系数本身与温度有关，所以实际得到的电压仅在预设温度邻近区域内才能看作与温度无关，在其他温度下仍有一定影响，并非完全与温度无关。 Banba结构的设计 1.Banba结构的原理 图3.1为Banba结构的完整电路结构图。 图 3.1 Banba 结构完整电路图 组成：第一部分为启动电路，主要由MSA，MSB，MSC三个管子的性能来决定电路的自启动；第二部分为放大器，采用二级Mille电路，并且从带隙部分获得偏置电流；第三部分为电路核心的带隙部分。 Banba结构的特点： .在传统的带隙基准电路中（如之前介绍的基本结构），输出电压Vref在1.25V左右，这就限制了电源电压在1V以下的应用，而这个结构的Vref通过两个电流的和在电阻上的压降来实现：一个电流与三极管的VBE成正比，另一个与VT成正比，产生的基准电流通过MOS管M3镜像到输出电流，再通过输出负载电阻R4决定输出参考电压（在保证MOS管正常工作的范围内），方便改变所需产生的电压值； .放大器中采用Miller补偿可以增加稳定性，采用PMOS管作为差分输入。由于放大器在电路中起的作用是保证1、2电压的相等，对核心部分没有影响，所以此结构仍是Banba的思想； .启动电路使电路节点处于简并状态时也可以自动进入正常工作状态，其自启动 方法是采用一个额外的脉冲来实现的。虽然增加了元件数，却能使制造和启动过程简化许多。 具体分析： 为了便于分析，图3.2是Banba结构电路的基本结构。 图 3.2 Banba 结构带隙基准 图3.2中，假设M1，M2，M3管的宽长比相同，则有： 3.1 由于运放的作用，，所以 3.2 那么基准电压Vref就可以得到， 3.3 与式 2.9 相比，只要调节R4/R2的比值，就可以方便的调节基准电压的值。同时也可以推导出此时Vref的温度系数： 3.4 Banba结构的参数设计 2.1 帯隙部分的设计 T 300K时，Is 4.3e-18A，，。取n 100，R3 100K， 3.5 3.6 代入式 2.6 得到，。由式 3.4 ，令，所以 3.7 3.8 n 100，R3 100K时，得到R2 422K。所以： 3.9 要求Vref 1.8V，则R4 633K。 流过MOS管的电流为： 3.10 M1，M2，M3管的尺寸： 3.11 2.2运放的设计 带隙电路中的放大器主要作用是使两个输入点的电平相等，所以只要增益足够就可以了，另外为了防止振荡，相位裕度也要足够，其他指标不是特别重要。图3.3是运放的核心部分。各部分作用：MA1、MA2为第一级差分放大，MA6为第二级放大，MA5、MA7从带隙部分偏置电流分配给放大部分MOS管。Cc为密勒电容，将主次极点分离，也可增大相位裕度。 图3. 二级Miller补偿CMOS运算放大器 3.12 单位增益带宽： 3.13 根据电流的关系，确定各个MOS管的宽长比。放大器的偏置电流来自于带隙部分的输出电流，由式 3.10 可知，偏置部分得到的电流为2.8u，为了减小功耗，取流过MA5的电流为偏置电流2倍，即MA5的尺寸为M1两倍，而MA7为M1尺寸的8倍以上。放大器的具体参数见表3.1，宽长比单位um。 表3.1 二级运放器件参数 M1 0.92/0.5 M5 1.84/0