台式机的低功耗之路.docVIP

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台式机的低功耗之路.doc

台式机的低功耗之路   近些年来,“低碳”这个词频繁地出现在我们日常的工作和生活中,各个产业也把节能环保作为明确的产品发展方向――汽车市场上新能源车和小排量车越发受到关注,家电卖场里随处可见节能变频的标志,在IT领域内,绿色低功耗也已经成为各个厂商的共识。以PC产品为例,国内消费市场上早已刮起了液晶一体机的普及风暴。相对于传统结构的台式机来说,液晶一体机具有很多明显的优势:外观时尚精巧、减少了线缆的束缚,可以让桌面显得更加整洁清爽;节能环保、低噪音低功耗;体积小巧、便于移动。这些原本都是笔记本电脑相对于传统台式机而言所具备的优势,如今都被搬到了一体机这个桌面计算平台上。   一体式电脑的低功耗优势一方面来自于核心技术制造工艺水平的整体提升,另一方面则是因为采用了区别于传统台式机的低功耗组件。从2009年刚刚兴起于国内PC市场至今,一体式电脑已经经历了45纳米到32纳米、再到22纳米的三代制造工艺水平的提升,以每瓦性能的指标来衡量,第四代酷睿智能处理器平台显然是远胜于Core 2 Duo那一代的产品。从最直观的角度来说,更先进的制造工艺水平就意味着相同核心面积下可以集成数量更多的晶体管,也可以理解为包含了更多的运算单元和缓存。所以,今天的电脑(包括但不局限于一体式电脑)在性能功耗比上一定远胜于Core 2 Duo时代的桌面平台,这是核心技术进步的整体趋势。另一方面,一体式电脑也会采用一些区别于传统台式机的组件,比如处理器、显示卡等。从第三代酷睿智能处理器开始,英特尔公司进一步丰富了桌面级产品的规格,在原有的Core i7/i5/i3布局下,又增添了几款低功耗的产品――以S或T的后缀来加以区分,例如Core i7-477S、Core i3-4130T等等。我们在零售市场上能见到的桌面级处理器只有无后缀的数字序号和以字母K为后缀的两种类型,其中带K后缀的产品表示不锁倍频的规格;而OEM市场上,则多了R、S、T这三种后缀的规格,其中带R后缀的产品代表集成锐炬核芯显卡,而S和T后缀则表示该产品属于低功耗的规格(后者的热设计功耗更低,以Core i7-4770为例,无后缀版本的热设计功耗为84瓦,基础频率3.4GHz,睿频最大频率为3.9GHz;Core i7-4770S的热设计功耗为65瓦,基础频率3.1GHz,睿频最大频率同样是3.9GHz;而Core i7-4770T的热设计功耗仅为45瓦,基础频率也只有2.5GHz,但是睿频最大频率则是3.7GHz,也就是它的基础功耗很低,但是睿频幅度更大)。按照英特尔公司的规划和建议,S后缀的酷睿处理器一般是面向大屏幕、高性能的一体式电脑;而T后缀的酷睿处理器则应用于迷你型电脑产品中,比如一升小机箱的联想ThinkCentre M4500q。   核心技术里程碑――3D晶体管技术   Intel于2011年5月6日宣布了所谓的“年度最重要技术”――世界上第一个3-D三维晶体管“Tri-Gate”。晶体管是现代电子学的基石,而Intel此举堪称晶体管历史上最伟大的里程碑式发明,甚至可以说是“重新发明了晶体管”。半个多世纪以来,晶体管一直都在使用2-D平面结构,现在终于迈入了3-D三维立体时代。用了50多年的2D平面硅晶体管将被3D晶体管所取代,这确是一种划时代的进步。   传统“平面的”2-D平面栅极被超级纤薄的、从硅基体垂直竖起的3-D硅鳍状物所代替。电流控制是通过在鳍状物三面的每一面安装一个栅极而实现的(两侧和顶部各有一个栅极),而不是像2-D平面晶体管那样,只在顶部有一个栅极。更多控制可以使晶体管在“开”的状态下让尽可能多的电流通过(高性能),而在“关”的状态下尽可能让电流接近零(即减少漏电,低能耗),同时还能在两种状态之间迅速切换,进一步实现更高性能。英特尔的3-D三栅极晶体管结构提供了一种管理晶体管密度的方式。由于这些鳍状物本身是垂直的,晶体管也能更紧密地封装起来--这是摩尔定律追求的技术和经济效益的关键点所在。未来,设计师还可以不断增加鳍状物的高度,从而获得更高的性能和能效。   这种设计可以在晶体管开启状态(高性能负载)时通过尽可能多的电流,同时在晶体管关闭状态(节能)将电流降至几乎为零,而且能在两种状态之间极速切换(还是为了高性能)。Intel还计划今后继续提高硅鳍片的高度,从而获得更高的性能和效率。   Intel声称,22nm 3-D Tri-Gate三维晶体管相比于32nm平面晶体管可带来最多37%的性能提升,而且同等性能下的功耗减少一半,这意味着它们更加适合用于小型掌上设备。通过使用3D晶体管,芯片可以在低电压和低泄露下运行,从而使性能和能耗取得大幅改进。在低电压条件下,22纳米的3-D Tri-Gate晶体管比英特尔32纳米平面晶体管性能提高37%。

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