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半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 东华理工大学 机械与电子工程电子学院 同学们的意见 讲课细一点、慢一点 多利用板书，做一些推导，便于顺着思路去走 多与同学交流，可以提问，带动大家的积极性 归纳一下课程内容的重点 基础差，涉及相关的基础知识介绍一下 我的联系方式 姓名： 彭新村 Tel： Email: pengxc07@mails.jlu.edu.cn 相关的参考书 《半导体物理》，刘文明，吉林大学出版社 《半导体物理》，孟宪章，康昌鹤，吉林大学出版社 《半导体物理》，钱佑华 《固体能带理论》，谢希德 《量子力学》，周世勋 《半导体概论》，陈治明，电子工业出版社 《现代半导体器件物理》，施敏 《Physics of Semiconductor Devices》,施敏 上节知识点回顾半导体中的电子状态和能带 自由电子的运动状态：自由电子的运动可用平面波表示。对波矢为k的运动状态，自由电子能量E，动量p，速度v均有确定数值，波矢k可以描述自由电子的运动状态。自由电子的E随k变化是连续的，呈抛物线形状，能量是连续能谱。 晶体中的电子运动服从布洛赫定理：单电子近似下，晶体中电子是在与晶格同周期的周期性势场中运动。运动状态是以调幅平面波在晶体中传播，其波函数称布洛赫波函数。 布里渊区与能带：求解薛定谔方程，得到电子在周期场中运动时其能量不连续，形成一系列允带和禁带。一个允带对应的K值范围称为布里渊区。 用能带理论解释导带、半导体、绝缘体的导电性。 上节知识点回顾半导体中电子的运动和有效质量 E(k) ~ k关系：对于半导体，重点考虑能带顶部或顶部附近的E(k) ~ k关系，引入电子的有效质量mn*后，其E、v、p与k的关系与自由电子相似。 有效质量的意义： mn* 概括了半导体晶体内部势场对电子的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部市场的作用。 mn* 还可以由实验测定，因此可以很方便的解决电子的运动规律。 §1.4 本征半导体的导电机构 空穴 能带中电子的导电作用 满带中的电子不导电 无外加场时： 是 的偶函数，而 可以证明： 这说明， 态与 态电子的速度大小相等，方向相反，这一对电 子对电流的贡献相互抵消。满带中电子的分布完全对称，所以晶 体中无宏观电流。 有外加场时： 是 空间的周期函数，因此在电场作用下，从 BZ一侧“出去”的电子又从BZ另一侧“进入”到该BZ中来。即外电 场并未改变满带中电子在k空间的对称分布，也无宏观电流。 不满带中的电子可导电 无外加场时： 电子在能带中的分布显然也是对称的 因此没有宏观电流 有外加电场时： 在外电场作用下，能带中的全部电子 在k空间的状态发生改变，使能带中原 本对称的电子分布变得不对称了。此时 能带中一部分电子对电流的贡献不能被 抵消，在宏观上就表现为传导电流。 二. 本征半导体的导电机构 影响半导体导电性的两个能带： 价带：最高填充带（满带） 导带：最低未被填充带（空带） 导电机理： 本征激发：在热力学温度不为0或外在光照作用下，价带顶部的部分电子被激发到导带底部附近的过程。 能带部分填充：本征激发使部分价带电子成为导带电子，并且在价带留下一些空状态(定义为空穴)。因此，导带与价带都表现为导电特性。 空穴的有效质量 价带顶部附近电子的加速度为： §1.5 实际半导体的能带结构 不同半导体的E(k)~k关系各不相同。即便对于同一种半导体，沿不同k方向的E(k)~k关系也不相同。换言之，实际半导体的E(k)~k关系可以是各向异性的。 因为 ，沿不同k方向E(k)~k关系不同就意味着半导体中电子的有效质量mn*是各向异性的。 一、k空间等能面 如果导带底位于k=0处，对于各向同性的有效质量mn* ，在导带底附近 对于实际的半导体，能带极值点不一定在k＝0处，沿不同k方向E(k)~k关系也不同，即有效质量mn*各向异性。设导带底极值点在k0处，极值为Ec，在晶体中选择适当的三个坐标轴，沿着kx，ky，kz轴的导带底有效质量分别为mx* , my*, mz*, 用泰勒级数在k0附近展开，略去高次项得 二、回旋共振测有效质量 以上介绍了三维晶体中，极值附近的等能面方程（E~k关系）的一般形式，但要得到这些方程的具体形式，最终得出能带结构，还需要知道有效质量的值。 回旋共振实验是测试半导体中载流子的有效质量的重要方法 三、 Si、Ge和GaAs的能带结构 1、回旋共振实验确定硅的导带结构的方法 硅材料的回旋共