提高AlN_陶瓷热导率.docVIP

AlN 陶瓷因具有高的热导率 室温下理论热导率为319W/ m·K 、低的介电常数 25℃为8.8MHz 、与Si相匹配的热膨胀系数 20～400℃时为4.3×10-6 / ℃ 、良好的绝缘性 25℃时电阻率大于1014Ω·cm 然而,AlN 陶瓷属于共价化合物,自扩散系数很小 小于10-13cm2/s ,难于烧结致密,且杂质等各种缺陷的存在对其热导率亦有很大的损害。 导热机理 在AlN 陶瓷材料中,热量是由晶格振动的格波来传递的。根据量子理论,晶格振动的能量是量子化的,这种量子化的能量被称为声子。格波在晶体中传播时遇到的散射可被看作是声子与质点的碰撞,而理想晶体中的热阻可归结为声子与声子之间的碰撞,由此Debye 首先引入声子的概念来解释陶瓷的热传导现象,并得出类似气体热传导的公式: 式中：λ为陶瓷的热导率,c为陶瓷的体积热容,?v为声子的平均速度, l为声子的平均自由程。由此可知,热导率与声子的平均自由程成正比。理想的AlN 陶瓷烧结体热导率主要由声子的平均自由程决定。声子的平均自由程l主要受到2个因素的影响： 1 声子-声子的碰撞使声子的平均自由程减小。晶格振动的格波相互作用越强，声子间的碰撞概率越大，相应的平均自由程越小； 2 晶体中的各种缺陷、杂质以及晶界都会引起格波的散射，从而使得声子平均自由程减小。Watari 等的研究表明热导率在室温附近达到最大值。高温时,热传导主要由声子-声子散射决定，且随着温度的升高，声子-声子散射加剧,平均自由程减小,热导率降低；低温时,热传导主要由声子-缺陷散射和/或声子-晶界散射决定，且随着温度的降低,平均自由程亦减小,热导率降低。 热导率的影响因素 影响AlN 陶瓷热导率的因素主要有：晶格中杂质元素的含量，特别是氧元素的含量；烧结体的致密度；显微结构及烧结工艺等。 1 杂质 氧杂质是影响AlN 陶瓷热导率的主要因素。AlN 与氧有很强的亲和性,在AlN 晶格内容易形成空位、八面体、多型体和堆垛层错等与氧有关的缺陷,这些缺陷对声子的散射大大降低了AlN 陶瓷的热导率。AlN 晶格中的本征缺陷主要由固溶于AlN 中的Al2O3造成。缺陷种类与氧即Al2O3 的含量有关。根据AlN 晶格中氧含量的不同, Harris 等提出了3 种缺陷形式：① 当[O] 0. 75 % 原子分数 时,O 原子均匀分布于AlN晶格中,取代N 位,形成Al 空位,如式所示。 　　Al2O3 式中:ON 为O 占据AlN 中N 点阵的替位缺陷，VAl 为Al 的空位; ②当[O] ≥0. 75 %时,孤立的缺陷会产生团聚,铝原子与氧原子形成八面体缺陷,每形成1 个八面体缺陷,就会消 失2 个VAl ; ③当[O] m 0. 75 %时,将形成含O 的堆垛层错、反演畴界和多型体等缺陷。 图1 为AlN 烧结体中氧含量 质量分数 与热导率的关系图。从图1 中可以看出随着氧含量的增加,热导率明显降低。因此,为了得到高导热性能的AlN 陶瓷,必须尽可能降低AlN 烧结体中的氧含量。为此,一方面可以选择优质的AlN 粉体进行烧结;另一方面,可以通过改善烧结工艺达到降低烧结体中氧杂质的目的。 值得一提的是,测量AlN 晶格中的氧含量,除了采用直接测量的方法外,还可以通过测量AlN 晶格常数的大小间接获得。由于氧杂质的增多而产生的铝空位使AlN 晶格的c轴值降低,所以较低的c 轴常数与较高的氧含量、较低的热导率相一致。因此可以通过测量AlN 晶格常数值来表征AlN 晶格中氧含量的多少和热导率的高低。 除O 外,其它杂质如Fe 、Si 、Mg 及SiO2 等的存在也会降低AlN 的热导率。 2 致密度 高致密度是AlN 陶瓷烧结体获得高热导率的前提。如果烧结体不致密,存在的大量气孔会散射声子,进而降低热导率。一般认为,AlN 陶瓷的热导率随着其致密度的提高而提高。当然这种关系也不是线性的,因为AlN 陶瓷晶格中的氧含量对其热导率有着决定性的影响。另一方面,随着致密度的提高,机械性能也会得到改善。因此,为了得到高性能的AlN 陶瓷,首先要提高其致密度。为了得到致密的AlN陶瓷,一般采用提高烧结温度、加入烧结助剂、热压烧结等方法。Qiu J Y等通过在一般AlN 粉末中添加纳米级颗粒的AlN 颗粒进行烧结,结果显示加入一定量纳米级AlN 颗粒也可以促进AlN 陶瓷的致密化。 3 显微结构 一般而言,AlN 陶瓷烧结体主要由AlN 晶相、铝酸盐第二相 晶界相 以及气孔等组成,而AlN 陶瓷热导率与各相显微结构密切相关。除因氧等杂质的引入而造成的AlN 晶格缺陷和气孔等对热导率损害较大外,第二相的存在也有重要影响,其中第二相的分布状态对热导率的影响尤为重要。第二相在AlN 陶瓷中主要以2 种形