童诗白模拟电子技术基础第四版第二章精讲.pptVIP

（2）饱和失真 ←工作点太高 抑制饱和失真的方法 或 退出饱和 o uBE/V iB/mA Q2 uo UCEQ Q uCE/V t t iC/mA IC iC/mA uCE/V O O O Q1 o t uBE/V UBEQ ui iB IBQ Q uCE iC 0 ICQ VCC VCC/RC 负载线 问题1的解决 UCEQ 临界饱和 UCES iB IBQ Q uCE iC 0 ICQ VCC VCC/RC 负载线 问题2的解决 UCEQ 临界饱和 UCES 以UCEQ为中心,取 VCC-UCEQ和UCEQ-UCES这两段距离中小的数值，就是能输出的最大不失真幅值（峰值）。 为使电路不失真输出幅值最大，Q点应设在负载线对应于uCE UCES和IB 0两点间的中点。 1 若 Q 点已定（在放大区），能输出的不失真最大幅度是多大？ 2 Q点设在什么地方能使电路不失真输出幅值最大？ 4.图解法分析最大不失真电压 对于放大电路与负载直接耦合的情况，直流负载线与交 5、图解法的适用范围 在实际应用中，多用于分析Q点位置、最大不失真输出电压和失真情况。 流负载线是同一条直线；而对于阻容耦合放大电路情况，只有在 空载情况下，两条直线才和二为一。 ★结论： 思考题 在图所示电路中，由于电路参数不同，在信号源 电压为正弦波时，测得输出波形如图（a）、（b）、（c）所 示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。 （b）截止失真，减小Rb 。 解（a）饱和失真，增大Rb，减小Rc 。 （c）同时出现饱和失真和截止失真，应减小ui或增大VCC。 2.3.4 等效电路法 1.晶体管简化h参数等效模型 2.共射放大电路动态参数的分析 将晶体管的模型以电路的形式表达后，用解电路的方法来进行分析和计算的。 输 入 端 口 输 出 端 口 + - △uBE △iB △iC + - △uCE b e c e iB 0 uBE Q △iB △uBE △iB Q uCE iC 0 VCC VCC/RC △iC 在输入特性Q点附近 输入电阻 在输出特性Q点附近 （与uCE无关） + - + - （1）简化h参数等效模型 1.晶体管简化h参数等效模型 rbb b b c e rbe （2）rbe的近似表达式 c rbb b rbe re c e rb’c rc b e 或 该式表明， Q点愈高， 即IEQ ICQ 愈大， rbe 愈小 基区体电阻 发射区体电阻 iB 0 uBE Q 2.共射放大电路动态参数的分析 + VCC RS Rb RC C1 C2 T + + + – RL ui + – uo + – + + – uBE uCE – iC iB iE Rb RC ui uO RL RS us + + – + – – us 小信号等效电路 + - Rb Rs + - + - Rc RL RL ∽ “-”号表示u0与ui相差1800 1 电压放大倍数的计算 + - + - Rc Rb Rs + - RL 2 输入电阻的计算 3 输出电阻的计算 ri 0 0 r0 × Rs [例2.3.3] 在图所示电路中，已知VCC 12V, Rb 510k?, Rc 3k?；晶体管的rbb 150 ?，? 80，导通时的UBEQ 0.7V；RL 3k? 。求（1）求出电路的 、 和 ； （2）若所加信号源内阻RS为2k? ，求出 Rb Rc +Vcc ui T + _ + _ uo C1 RL + _ + _ C2 解： 1 首先求出Q点和rbe UCEQ大于UBEQ，说明Q点在晶体管的放大区。 画出交流等效电路如图所示。 + - + - Rc Rb Rs + - RL Rb Rc +Vcc ui T + _ + _ uo C1 RL + _ + _ C2 + - + - Rc Rb Rs + - RL 2 根据 的定义 的数值总是小于 的数值，输入电阻愈大， 愈接近 ， 也就愈接近 。 2—4 放大电路静态工作点的稳定 2.4.1 静态工作点稳定的必要性 2.4.2 典型的静态工作点稳定电路 2.4.3 稳定静态工作点的措施 2.4.1 静态工作点稳定的必要性 阻容耦合共射放大电路 Rb Rc +Vcc ui T + _ + _ uo C1 RL + _ + _ C2 放大电路的主要性能指标与静态工作点有关 影响静态工作点的因素: 电源电压的波动; 元件参数的老化; 晶体管的温度特性。 温度对静态工作点的影响 T↑ 略 静态工作点影响波形质量 IBQ Q uCE iC 0 ICQ VCC VCC/RC UCEQ IB1 IB2 Q 稳定Q点，是指在环境温度变化时静态集 措施（1）