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00-10-10 武汉大学 电子信息学院 光无源器件 讲义 光纤通信光源 讲 义 武汉大学 电子信息学院 何对燕 §1.光纤通信中的光源 ?将电信号转换为光信号； ?有两种：半导体激光二极管（LD）； 半导体发光二极管（LED）； ?要求：发射波长与光纤低损耗和低色散波长一致； 在室稳下连续工作，低功耗，谱线窄； 体积小，重量轻，使用寿命长； 制造工艺简单，成本低，可靠性高； §2.半导体中光的发射和激射原理 ?原子的能级结构： 电子的量子化：能量是离散值； 原子的能级：分立的能量值； 基态（稳态）：原子能量最低； 激发态：原子能量比基态高； ?半导体价带、导带、带隙： 能级：分立的能量级； 能带：单晶中各个原子的最外层轨道相互重叠； 价带：与原子最外层轨道的价电子对应的能带； 导带：价带上面的能带； 带隙：导带底Ec与价带顶Ev之差Eg；（禁带宽度） §2.半导体中光的发射和激射原理(续） ?导体的Eg?半导体Eg?导体Eg=0； ?价带中电子激发至导带，留下空穴；临近电子填补这个空穴，又留下另一个空穴；空穴产生位移；(统称载流子） ?导带中电子跃迁至价带，填补空穴，既复合； ?电子（-）、空穴（+）称为载流子； ?激发时电子吸收能量，跃迁时电子辐射能量； Eg=h? §2.半导体中光的发射和激射原理(续） ?本征半导体（I型）：杂质、缺陷极少的纯净、完整的半导体。 ?电子半导体（N型）：通过掺杂使电子数目大大地多于空穴数目的半导体。（GaAs-Te） ?空穴半导体（P型）：通过掺杂使空穴数目大大地多于电子数目的半导体。（GaAs-Zn） ?在纯净的Ⅲ-Ⅴ族化合物中掺杂Ⅵ族元素（N型），或掺杂Ⅱ族元素（P型） §2.半导体中光的发射和激射原理(续） ?p-n结：P型半导体和N型半导体结合的界面。 §2.半导体中光的发射和激射原理(续） ?扩散运动→空间电荷势垒→自建电场VD→平衡状态。 ?费米能级Ef：描述电子能量状态分布的假象能级， Ef以下的能级，电子占据的可能性大于1/2，空穴占据的可能性小于1/2； Ef以上的能级，空穴占据的可能性大于1/2，电子占据的可能性小于1/2。 ?掺杂：eVD?Eg为轻掺杂， eVD?Eg为重掺杂。 ?在平衡状态下，P区和N区有统一的Ef。 ?正电压向V→漂移运动→抵消一部分势垒（V-VD） →破坏平衡→ P区和N区的Ef分离（准费米能级）。 §2.半导体中光的发射和激射原理(续） ?(Ef)N以下的能级，电子占据的可能性大于1/2， (Ef)P以上的能级，空穴占据的可能性大于1/2。 ?当正向电压足够大时，产生复合发光。 §2.半导体中光的发射和激射原理(续） ?普朗克定律：基态到激发态的跃迁—吸收一个光子，激发态到基态的跃迁—发射一个光子，光子的能量为h?=E2-E1。 ?吸收激发：E1基态的电子吸收光子能量，激发到高能态E2； ?自发辐射：E2能态的电子处于不稳定状态，自发返回基态E1，自发辐射一个光子（位相随机）。 ?受激辐射：E2能态的电子处于不稳定状态，向下进入亚稳态，外来光子会激励电子向下跃迁到基态E1，受激辐射一个光子（位相相同）。 §2.半导体中光的发射和激射原理(续） ?粒子数反转（光放大的必要条件）：仅当激发态的电子数大于基态中的电子数时，受激辐射超过吸收，要利用“泵浦（激励）”方法。 ?有源区：实现粒子数反转，对光具有放大作用的区域。 ?光学谐振腔： 自发辐射光子 夹角大的逸出 受激辐射光子 全同光子 §2.半导体中光的发射和激射原理(续） §2.半导体中光的发射和激射原理(续） ?谐振腔的三功能：光放大、频率选择、正反馈。 ?阈值条件：增益必须大于损耗； ?相位平衡条件：光波能因干涉而得到加强以形成正反馈（驻波）； fq 谐振频率， ?q 谐振波长， q 纵模 §2.半导体中光的发射和激射原理(续） ?频带加宽：增益介质的增益-频率特性； §2.半导体中光的发射和激射原理(续） ?横模TEMmn ：激光振荡垂直于腔轴方向，平面波偏离轴向传播时产生的横向电磁场模式。 §3.半导体发光二极管LED ?利用半导体p-n结自发发光的器件。 ?特点：温度特性好，输出线性较好，没有模式色散，驱动电路简单，寿命长。 §3.半导体发光二极管LED(续） ?面发光二极管 §3.半导体发光二极管LED(续） ?边发光二极管 §3.半导体发光二极管LED(续） ?技术参数： 1.3?m LED §4.半导体激光二极管LD ?同质结与异质结： §4.半导体激光二极管LD(续） ?窄条