太阳能发电03.pptVIP

3.4 太阳电池模型 串、并联电阻对填充因子有较大影响； 串联电阻越大，短路电流下降越多，填充因子也随之减少得越多； 并联电阻越小，这部分电流就越大，开路电压就下降得越多，填充因子随之也下降得越多。  图2-5 太阳电池的单二极管等效电路模型 由于光生电动势使p—n结正向偏置，因此存在一个流经二极管的漏电流，该电流与光生电流的方向相反，会抵消部分光生电流，被称为暗电流ID。 正面金属电极与半导体材料的接触电阻、半导体材料的体电阻和电极电阻三部分 电池边缘漏电或耗尽区内的复合电流引起的 3.4 太阳电池模型 3.4 太阳电池模型 当负载被短路时，V 0，I Isc，流经二极管的暗电流非常小，可以忽略，根据式 Isc即为太阳电池的短路电流 short circuit current . 可得 短路电流Isc总小于光生电流IL。 3.5 太阳电池的效率—原理性损失 单晶硅电池可将约16％-20％的入射光线转换为电流。在实验室最佳的条件下制作的电池效率已经接近25％。从理论讲，最大的转换效率达到30甚至更高也是可能的。 不管是哪一种材料的太阳电池都不能将全部的太阳光转换为电流。 太阳光包含电磁波中的一个很宽的光谱范围 0.25—2.5μm ，即从红外线经过各种颜色的可见光直到紫外线。大体分为紫外光占7％、可见光占45％和红外光占47％左右。 晶体硅太阳电池的光谱敏感最大值没有与太阳辐射的强度最大值完全重合。为了在硅中产生电子-空穴对，光线具有一个确定的最小能量值是必要的。光的能量随着波长的减少而增加，即蓝光的能量大于红光。 3.5 太阳电池的效率—原理性损失 5. 对于硅电池来说，为了产生电子-空穴对形成电流，波长小于1.1μm的光，也就是靠近可见光的近红外线和可见光才具有足够的能量。 6. 太阳光谱中波长大于1.1μm的长波部分不能够产生电子一空穴对，而是转变为热量。太阳辐射中大约有25％的这样的光能不能被利用。 3.5 太阳电池的效率—原理性损失 太阳能电池在入射光中每一种波长的光的作用下，所收集到的光电流与相对于入射到电池表面的该波长光子数之比，称为太阳能电池的光谱响应，又称为光谱灵敏度。 光谱响应有绝对光谱响应和相对光谱响应之分。绝对光谱响应是指某一波长下太阳能电池的短路电流除以入射光功率所得的商，其单位是mA／mW或mA／mW·cm2。由于测量与每个波长单色光相对应的光谱灵敏度的绝对值较为困难，所以常把光谱响应曲线的最大值定为1，并求出其他灵敏度对这一最大值的相对值，这样得到的曲线则称为相对光谱响应曲线，即相对光谱响应。 3.5 太阳电池的效率—原理性损失 太阳能电池的光谱响应 3.5 太阳电池的效率—原理性损失 太阳能电池的光谱响应 曲线 光谱响应曲线的最大值定为1 太阳光包含电磁波中的一个很宽的光谱范围 0.25—2.5μm 硅太阳能电池的相对光谱响应范围 0.3～1.1μm 3.5 太阳电池的效率—原理性损失 7. 如光线的能量足以产生电子-空穴对，那么此时光能的大小就不起作用了，即不管是红光还是蓝光。在光能临界值之上一个光量子只产生一个电子-空穴对，剩余的能量又被转换为未利用的热量。如此太阳能的30％的部分没有被利用。 3.5 太阳电池的效率—工艺性损失 不是所有的光线都能够在p-n结周围被吸收和转换.不是在界面层附近产生的电子-空穴对，很有可能由于相互迅速复合而将能量损失。 晶体中的不纯 杂质 和晶体结构中的缺陷导致不是所有的电子一空穴对很快地在界面分离，以致一定百分比的电子-空穴对可以复合，从而造成电流损失。 3.5 太阳电池的效率—工艺性损失 3. 解决方法是使用高纯的硅材料，这样必须支付高昂的材料成本。在工业部门生产时要兼顾材料的纯度和生产成本，要求达到的转换效率和价格之间平衡关系。 3.5 太阳电池的效率—小结 在能量转换时的效率影响—— 光学损失 光学损失主要是表面反射、遮挡损失 前电极 和电池材料本身的光谱响应特性。 电学损失 电能转换的损失来源可总结为如下方面：载流子损失 复合 和欧姆损失 电极一晶体接触 等。  3.6 硅片的生产 太阳电池产品需要高纯的原料，对于太阳电池要求硅材料的纯度至少是99.99998％，即在1千万个硅原子中最多允许2个杂质原子存在。而对半导体技术要求的纯度还要高几个数量级。 3.6 硅片的生产 二氧化硅→冶金级硅→高纯三氯氢硅→高纯多晶硅原料→单晶硅棒或多晶硅锭→硅片→太阳电池→电池组件 金属合金需要的冶金级硅 杂质约1％～2％ 大约8～10元／kg 生产工艺—— 3.6 硅片的生产 太阳电池用的硅材料价格要比冶金级硅高几十倍。 一片100mm×l00mm的太阳电池要用硅材料约10g左右，电功率为1.3～1.5