07沉淀平衡.pptVIP

2 包藏共沉淀 在逐步滴加沉淀剂的过程中，如果沉淀晶体成长过快，表面吸附的杂质来不及离开沉淀表面而被随后成长在沉淀表面的构晶离子所覆盖，从而被包夹在沉淀之中。这种现象叫包藏。包藏共沉淀实质上还是因为表面吸附所引起，所以被包藏的杂质应符合吸附规则。例如沉淀BaSO4时，若把 Ba2+ 溶液逐步滴加到 SO42－溶液中，沉淀是在 SO42－ 过量的情况下逐步生成的，因此 SO42－首先被吸附到吸附层，溶液中的杂质阳离子有可能进入扩散层。这样，杂质阳离子有可能被包藏在沉淀之中。反之，若把 SO42－溶液逐步滴加到Ba2+溶液中，沉淀是在 Ba2+过量的情况下逐步生成的，因此Ba2+首先被吸附到吸附层，溶液中的杂质阴离子有可能进入扩散层，杂质阴离子有可能被包藏在沉淀之中。 3 混晶共沉淀 在沉淀被测离子时，若杂质离子与被测离子的离子半径相近、晶体结构相似时，则杂质离子容易混进沉淀晶体内部形成混晶共沉淀，例如 BaSO4 － PbSO4 、 BaCrO4－RaCrO4、AgCl－AgBr等。能否生成混晶及混晶所占的比例与它们的平衡常数有关。因此混晶共沉淀不能通过洗涤、陈化、甚至再沉淀等手段去除，若想避免混晶共沉淀应事先把杂质离子分离除去。 因此，可根据试液中所含杂质的情况，适当改变操作步骤，以减少主要杂质离子被包藏。 包藏共沉淀不能通过洗涤沉淀的方法去除。可通过陈化或重结晶的方法除去