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Schl. of Optoelectronic Inform. “光电探测与传感集成技术”教育部国防重点实验室 State Key Lab. of ETFID “电子薄膜与集成器件”国家重点实验室. Schl. of Optoelectronic Inform. “光电探测与传感集成技术”教育部国防重点实验室 State Key Lab. of ETFID “电子薄膜与集成器件”国家重点实验室. 在拉曼散射中，光子把一部分能量给样品分子，使部 分基态分子跃迁到激发态，散射光能量减少，在垂直 方向上可以检测到频率为（ν0-Δν）的谱线，称为斯 托克斯线。 相反，光子从激发态分子中获得能量，样品分子从 激发态回到基态，则在可以检测到频率为（ν0+Δν） 的谱线，称为反斯托克斯线。 斯托克斯线及反斯托克斯线与入射光频率的差，称 为拉曼位移。 拉曼位移的大小与分子的跃迁能级差有对应关系。 Schl. of Optoelectronic Inform. “光电探测与传感集成技术”教育部国防重点实验室 State Key Lab. of ETFID “电子薄膜与集成器件”国家重点实验室. 激光拉曼光谱与红外光谱的比较： 物理过程不同 都能提供分子振动频率的信息，拉曼效应为散射过程， 红外光谱是吸收光谱。 选择性定则不同 偶极矩变化对应红外活性，极化率变化对应拉曼活性 Raman光谱的优点 1、Raman光谱是一个散射过程，任何尺寸、形状、透明度的 样品，只要能够被激光照射到，可Raman光谱测试。由于 激光束可以聚焦，Raman光谱可以测量极微量的样品。 Schl. of Optoelectronic Inform. “光电探测与传感集成技术”教育部国防重点实验室 State Key Lab. of ETFID “电子薄膜与集成器件”国家重点实验室. Raman光谱的优点（续） 2、水的Raman散射极弱，Raman光谱可以测量含水样品； 玻璃的Raman散射也较弱，因而玻璃可作为理想的窗口 材料，用于Raman光谱测量。 3、对于聚合物及其他分子，Raman散射的选择性定则限制较 小，可以得到更为丰富的谱线。S-S, C-C, C C, N N等红 外较弱的官能团，在Raman谱中信号较强。 4、Raman效应可用光纤传递，而红外衰减极大。 Schl. of Optoelectronic Inform. “光电探测与传感集成技术”教育部国防重点实验室 State Key Lab. of ETFID “电子薄膜与集成器件”国家重点实验室. Schl. of Optoelectronic Inform. “光电探测与传感集成技术”教育部国防重点实验室 State Key Lab. of ETFID “电子薄膜与集成器件”国家重点实验室. Raman光谱的不足 存在荧光散射 强烈的荧光会掩盖样品信号。 解决方案 采用 FT-Raman光谱仪： 采用1.064nm近红外激发，拟制电子吸收 Schl. of Optoelectronic Inform. “光电探测与传感集成技术”教育部国防重点实验室 State Key Lab. of ETFID “电子薄膜与集成器件”国家重点实验室. 激光Raman光谱的应用 不同稀释比薄膜的拉曼图谱 当R 3时薄膜的拉曼 TO峰在480附近，说明 了薄膜是非晶硅。 当R≧6时薄膜的TO 峰移动到了520附近，代 表着纳米晶粒的出现。 随着稀释比的增加 ，TO峰的位置和强度 也随之变化。 Schl. of Optoelectronic Inform. “光电探测与传感集成技术”教育部国防重点实验室 State Key Lab. of ETFID “电子薄膜与集成器件”国家重点实验室. 样品 气体流量比 sccm 射频功率密度 mW/cm2 晶粒直径 nm 晶化率 % Ar SiH4 1 30 10 150 0 0 2 30 5 150 11.3 19 3 80 5 150 11.8 42 4 120 5 150 12.5 63 制备参数与拉曼分析结果 薄膜晶化率的计算: 因为晶粒的尺寸很小，所以β≈1 Schl. of Optoelectronic Inform. “光电探测与传感集成技术”教育部国防重点实验室 State Key Lab. of ETFID “电子薄膜与集成器件”国家重点实验室. 不同氩稀释比氢化硅薄膜拉曼光谱数据分析 随着稀释比的增加ωTO也在增加，但是ΓTO却在减小。这样的变化趋势意味着薄膜的短程有序性随着稀释比的增加而得到了改善。从图中还可以看到，ITA/ITO随着稀释比的增加而减小，说明薄膜的中程有序性也得到了改善。图中第三条