基于Non—Fourier导热模型的多芯片组件基板热分析研究.docVIP

基于Non—Fourier导热模型的多芯片组件基板热分析研究 　　摘 要： 随着电子产品的尺寸和重量日趋变小，经典Fourier理论已经不能很好地解决实际问题。为了使理论结果尽可能准确地反映实际情况，需要用到Non?Fourier导热模型。首先，建立了三维多芯片组件的Fourier和Non?Fourier导热模型；其次，采用有限差分方法求解相应模型的传热方程，得到了温度分布和温度响应；最后，使用有限元热分析软件ICEPAK建立了相应的热分析模型并进行计算。实验结果表明，与经典的Fourier模型相比，Non?Fourier模型更加接近实际温度，且温度场进入稳态的时间较长，热耦合的现象也更强。 　　关键词： 多芯片组件； Fourier； Non?Fourier； 有限差分法 　　中图分类号： TN710?34； TP311 文献标识码： A 文章编号： 1004?373X（2014）03?0117?05 　　Thermal analysis and research of multi?chip component substrate 　　based on Non?Fourier thermal conductivity model 　　LI Ji?sheng 1， WANG Meng2， HUANG Zhan?wu2 　　（1. Shaanxi Changling Photovoltaic Electric Co.， Ltd.， Baoji 721006， China； 2. Institute of Electronic CAD， Xidian University， Xi’an 710071， China） 　　Abstract： With the reduction in size and weight of electronic products， classical Fourier theory can′t solve practical problems well. To make the theoretical results close to the fact， Non?Fourier model should be used. Firstly， the Fourier model and the Non?Fourier model for three?dimension multi?chip module （MCM） are built separately. Secondly， finite difference method （FDM） is used to solve the corresponding equation of heat transfer and get distribution and response of temperature. Finally， the relevant thermoanalysis model is built up by finite element analysis software of ICEPAK and calculated. The result shows that the temperature of Non?Fourier model is closer to the practical situation than classical Fourier model. The time is longer for temperature field to enter the stable state， and the thermo?coupled phenomenon is stronger. 　　Keywords： MCM； Fourier； Non?Fourier； FDM 　　0 引 言 　　随着便携式电子产品小型化、多功能化和环境保护的要求，片上系统（System on Chip，SoC）等高密度三维立体（3D）堆叠封装技术得到了迅速发展，这种技术在减小芯片尺寸和实现紧密集成度等方面可以满足目前电子行业的要求[1?2]。 　　现代电子技术迅猛发展，要求电子整机朝着短、小、轻、薄及高可靠、高速、高性能和低成本的方向发展[3]。热失效是电子设备的主要失效形式，其失效率随温度增加将呈指数增长趋势[4]。在设计阶段，热分析非常关键，通过其可以发现电子设备的热缺陷[5?6]。 　　当前电子设备的集成度不断提高，器件的特征尺寸也愈来愈小。当尺度（空间尺度和时间尺度）微细化后，将会出现传热的尺度效应，此时的传热情况与常规尺度下不同。对于多芯片组件，更多的使用经典Fourier理论去分析解决问题，但尺度微细化后的热量