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基于巨磁电阻的地磁传感器设计 摘要：介绍一种新型地磁传感器，该传感器由单轴巨磁电阻传感器捷联构成。通过外加磁通聚集器和磁偏置技术改进GMR传感器的输出特性，使地磁场的大小位于传感器输出曲线的线性范围内。用ANSYS对永磁体的偏置磁场进行数值模拟，ANSYS能根据偏置磁场快速地确定出永磁体的相关参数。该传感器具有结构简单、灵敏度高等优点，可以较好应用于地磁场测量。 关键词：巨磁电阻 地磁传感器 ANSYS 磁偏置 中图分类号：TP212；TM937 文献标识码：A 文章编号：1007-9416（2013）12-0152-01 引言 地磁场是地球的基本物理场，随着地球磁场模型的日益完善以及集成电路制造技术和微电子机械系统的快速发展，地磁探测技术在飞行制导和定位方面受到广泛的应用。地磁传感器可分为以下三种：磁通门式、霍尔效应式和磁阻效应式。巨磁电阻传感器是基于巨磁电阻效应的一种新型磁阻传感器，它与传统磁阻传感器相比，具有灵敏度高、可靠性好、测量范围宽、抗恶劣环境、体积小等优点，有很好的应用前景[1]。 1 三维地磁传感器设计 本研究采用NVE公司生产的巨磁电阻传感器AAH002-02作为三维地磁传感器的敏感元件，AAH002-02传感器线性范围0.6～3.0Gs，灵敏度为11.0～18.0mV·V-1·Gs-1，饱和场为6Gs。 1.1 巨磁电阻传感器静态特性的改进 由于地磁场的范围不在GMR传感器的线性区间内，并且由于多层膜巨磁电阻的特有性质，AAH002-02的输出只与磁场大小有关，并不能确定磁场的方向。针对该传感器的单极性输出特性，通过外加磁通聚集器和磁偏置可以很方便地解决上述两个问题。本文中巨磁阻传感器改进方案如图1所示。 1.2 磁通聚集器的确定 1.3 偏置磁场的确定 为了简化电路节约成本，选用直径为2mm，厚度为2mm的N35永磁体提供偏置磁场。在工程中常用数值模拟的方法来确定永磁体产生的磁场。本文利用ANSYS仿真永磁材料磁场的大小[2]，如图3和图4所示。 图4的仿真结果可以看出，由于磁通聚集器的作用，穿过传感器的磁场方向与传感器的敏感轴平行。通过ANSYS后处理器可以求出平均磁场为1.2Gs。 2 结论 目前巨磁电阻传感器在导航方面应用比较少，本研究通过对AAH002-02巨磁阻传感器的特性输出进行改进，设计的GMR地磁传感器其具有灵敏度高、结构简单、价格便宜、体积小等优点。在武器装备、车载、飞行体的导航系统中具有潜在的应用价值。 ANSYS数值分析可以解算磁铁所提供的偏置磁场的大小，拟合出磁感应强度随传感器与永磁体间距的变化曲线。对于磁偏置技术，通过ANSYS仿真，能快速简单地确定与偏置磁场相关参数，省去许多实验操作，提高工作效率，缩短设计周期，降低设计成本。 参考文献 [1]赵维明，王明东，张加深，等.巨磁电阻效应在国防领域中的应用[J].应用天地.2009，28（7）：66-68. [2]张倩，胡仁喜，康士廷，等.ANSYS 12.0电磁学有限元分析从入门到精通[M].北京：机械工业出版社，2010：18-35.