学习单元2 LED制作与封装.ppt

2.1 LED的衬底材料 蓝宝石衬底 　 硅衬底 目前有部分LED芯片采用硅衬底。硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式，分别是L接触和 V接触。通过这两种接触方式，LED芯片内部的电流可以是横向流动的，也可以是纵向流动的。由于电流可以纵向流动，因此增大了LED的发光面积，从而提高了LED的出光效率。因为硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善，从而延长了器件的寿命。 碳化硅衬底 碳化硅衬底（美国的CREE公司专门采用SiC材料作为衬底）的LED芯片电极是L型电极，电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积较大的大功率器件。 三种衬底性能比较 2.2 LED外延工艺技术 2.3 LED的芯片技术 2.4 LED的封装技术 2.5 白光LED技术 2.6 LED的散热技术 2.功率型LED封装技术 1 LED的封装形式与结构 提纲 1 LED的封装形式与结构 Lamp-LED早期出现的是直插LED，它的封装采用灌封的形式。 1） Lamp-LED封装 2） SMD封装 表面贴装技术 SMT 应用于LED生产始于20世纪80年代，表面贴装是LED一种重要的封装形式。 表面贴装LED与其他表面贴装器件 SMD 一样，适合于自动化大规模生产，并且适应电子整机产品轻薄短小的发展要求。 侧光型、高亮度型 13.6 8 3.1 X 1.7 1