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金属沉积制程简介 F10 E2 TF PE 钟承翰 2004/6/25 Wafer 在IC Fab 中的流程 金属在IC制程中的作用 什么是PVD Monitor项目与影响 Monitor 的目的是确保制程结果不会超出控制规范(Out Of Control) 注意事项 控片准备： PVD TiN, Ti Silicide, AlCu 的厚度和Dep-PD控片为(Bare Silicon+Thermal Oxide 1k) (两面均为蓝色) Scrubber 和 Enhance-PD 控片为 bare silicon 严禁含有光阻的晶片直接进PVD机台 时间控制： AlCu Delay time OOC(Out Of Control) Ti silicide Q-time Run货时间异常 4个stage 的Scrubber 机台，lot置于STAGE 1、2,则空 Boat应对应置于Stage 3、4，run完后slot位置颠倒(原来slot1变为slot25) 。 3个stage 的Scrubber 机台wafer run 完后回到原来位置 F10E2 CHChung JUN. 2004 P. * Confidential Security C RK Yang JUN. 2004 P. * Confidential Security C 金属互联与高架桥公路 金属在IC制程中的作用 截面图： 金属导线： ALCU 金属接点： TiSi2, WSi2 保险丝: ALCU 金属通道: W 黏着层, 阻绝层: Ti/TIN 金属 PVD 机台： AMAT ENDURA, 多重 chamber 制程 制程种类： Mark Shielding, Ti-silicide, CVD TIN 优点： 纯度高,速度快 缺点： 填洞能力差 金属 CVD 机台： AMAT CENTURA 或 NVLS ALTUS, 单一 chamber 制程 制程种类： WCVD, CVD-TIN, WSix 优点： 纯度低,速度慢 缺点： 填洞能力好 PVD 是物理气相沉积(Physical Vapor Deposition)的缩写，由帶能量的離子撞擊金属靶材, 致使表面的原子飛散出來, 附著於基板上形成薄膜之現象. Endura chamber 配置 Mark Shielding Ti-silicide CVD TIN E/F 去水气，转边 E/F 去水气，转边 E/F 去水气，转边 C/D 去除氧化层 1/3 沉积 ALCU 1 沉积 Ti 1/4 沉积 IMP Ti 2/4 沉积 TIN 4 沉积 TIN 2/3 沉积 CVD TIN A 传送 A 传送 A 传送 B 冷却 B 冷却 B 冷却 Mark shielding: 为了要遮住给黄光对准用的眼睛。 图解： 新 ALCU 靶材 旧 ALCU 靶材 PVD TIN: 夹在金属线的上下，有二种不同目的。 DC Longthrow DC Collimator Plasma DC RF Vectra IMP Standard PVD PVD 制程的填洞能力 PCII(pre-clean)是用在degas之后，是为了去除silicon或者metal表面的氧化物和颗粒等一些东西，目的是为了降低contact/via的接触电阻。 IMP TI(ionized metal plasma)能提供较好的台阶覆盖(与Co-Ti相比)，同时PM cycle长，cost低。 为什么用CVD TIN? 得到TIN的方法有两种： PVD TIN---物理轰击 CVD TIN---化学气象反应(热反应) CVD TIN的优点 台阶覆盖(step coverage)比较好 PVD TIN CVD TIN W CVD 简介 SiH4? Si +H2， WF6 + SiH4 - W + SiF4 WF6 + H2 - W+HF W CVD对孔(contact/via)的填充能力优于用溅镀的方法来填充。 厚度异常会导致蚀刻的残留或过蚀刻，这样就会有局部线路短路或者断路，从而导致整个器件的报废。 厚度： 颗粒： 颗粒同样也可能会让局部线路短路或者断路。 漏率： 漏率过大会让制程chamber达不到要求的真空度，影响到金属薄膜的品质，也会增加chamber内的颗粒数。 Mark Shielding： Mark Shielding OOC时，将会导致Mark的位置被薄膜掩盖住，到Photo时会导致无法对准。 AlCu Delay Time： AlCu Delay Time定义为AlCu镀完到TiN镀完的时间，如果这个时间过长， AlCu薄膜将会转变得难蚀刻，残留会导致