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3.绕射性强、均镀能力强 惰性气体原子在放电时撞击蒸汽镀膜粒子，使之分散，提高薄膜对于复杂外形表面的覆盖能力，或称为薄膜沉积过程的绕射能力，如内孔、凹槽。 4.可镀材料广泛，基体材料与镀膜材料可以广泛搭配 基材可以是金属、陶瓷、玻璃、塑料等，镀膜材料可以使金属和各类陶瓷材料。 缺点： 离子镀的缺点是氩离子的轰击会使膜层中的氩含量升高 四、常用离子镀工艺 1.空心阴极离子镀 2.多弧离子镀 3.磁控溅射离子镀 4.活性反应离子镀 三种PVD方法比较 方法 特性 蒸镀法 溅射法 离子镀 薄膜特点 粒子能量 0.1-1ev 1-10ev 数百-数千ev 沉积速度μm/mim 0.1-75 0.01-0.5 （磁控溅射可接近蒸镀法） 0.1-50 密度 低温时密度较小，但表面光滑 密度较高 密度高 气孔率 低温时多 气孔少， 但气体杂质多 无气孔， 但缺陷多 附着力 不好 较好 很好 内应力 多为拉应力 多为压应力 依工艺条件而定 绕射性 差 较好 较好 §5.2 化学气相沉积 作业： 1.化学气相沉积的主要反应类型 2.化学气相沉积的特点 §5.2 化学气相沉积（CVD）Chemical Vapor Deposition PVD: 一般沉积膜与钯材料相同，基本不发生化学反应。 CVD：把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入反应室，借助气相作用或在基片上的化学反应生成所需要薄膜。 一、CVD装置---反应室、供气系统、加热系统 1.反应室：石英管，器壁分热壁和冷壁 冷壁CVD和热壁CVD装置 热壁式 CVD ：使用外置的加热器将整个反应室加热至较高的温度。这时薄膜的沉积位置除了衬底上以外，还有所有被加热到高温、且接触反应气体的所有部分。 冷壁式 CVD ：使用感应加热方式对有一定导电性的样品台进行加热，而反应室壁则由导电性差的材料制成，且由冷却系统冷却至低温。冷壁式装置可减少 CVD 产物在容器壁上的沉积。 几种冷壁式或热壁式的CVD装置的示意图 ? 冷壁式 ? 热壁式 ? 2.供气系统 开管气流法（热壁式、冷壁式）、闭管气流法 开管：连续地供气及排气，试样取放易、可反复使用装置，工艺易控制 闭管：生长慢，不适于批量生产，反应管一次性 3.CVD的加热系统 电阻加热法 射频感应加热法 红外灯加热法 激光局部加热法，对衬底的局部进行快速加热，实现薄膜的选择性沉积。 CVD 装置可使用的加热方法 (a)电阻加热 (b)感应加热 (c)红外线加热 二、CVD主要反应类型 热分解或高温分解反应 还原反应：主要为H2 氧化反应：化合物＋O2→薄膜 水解反应 氮化或氨解 碳化：形成碳化物薄膜 1. 热分解或高温分解反应 气相化合物与高温衬底表面接触，化合物高温分解 沉积形成薄膜。 例如： 由 SiH4 （硅烷）热解沉积多晶 Si 和非晶 Si 的反应 SiH4(g) →Si(s)+2H2(g) (650?C) 由羟基镍热解生成金属 Ni 薄膜的反应 Ni(CO)4(g) →Ni(s)+4CO(g) (180?C) 甲基三氯硅烷分解 CH3SiCl3 (g) →SiC(s)+3HCl(g) 2. 还原反应 利用 H2 还原 SiCl4 外延制备单晶硅薄膜的反应 SiCl4(g)+2H2(g)?Si(s)+4HCl(g) (1200?C) 六氟化物制备难熔金属 W、Mo 薄膜的反应 WF6(g)+3H2(g)?W(s)+6HF(g) (300?C) 3.氧化反应 利用 O2 作为氧化剂制备 SiO2 薄膜的氧化反应 SiH4(g)+O2(g)?SiO2(s)+2H2(g) (450?C) 4.岐化反应 GeI2 变价为另一种更稳定的化合物和 Ge 的反应 2GeI2(g)?Ge(s)+GeI4(g) (300?600?C) 5.水解反应 2AlCl3+H2O?Al2O3+6HCl 6.氮化或氨解 3SiH4+4NH3?Si3N4+12H2 7.碳化 TiCl4 (g) +CH4 (g) →TiC (s) +4HCl (g) SiCl4(g)+CH4(g)?SiC(s)+4HCl(g) (1400?C) 另：还有合成反应，综合反应，生成不同金属或半导体薄膜。 三、CVD 特点： 1. 薄膜的成分和性能可灵活控制 可以控制薄膜的组成，制备各种单质、化合物、氮化物和氧化物等 通过控制温度、气体组成、浓度、压力等，达到