第七章硅锂漂移探测器(192-207)重点.docVIP

第七章 硅锂漂移探测器 一般的结型硅半导体探测器的灵敏区厚度很难达到2mm以上，它对于探测(粒子等重带电粒子有着广泛的应用，但对于像(射线这样穿透性很强的辐射，因有限的灵敏区厚度和小的有效体积就不适应了。60年代中后期，采用锂漂移技术在P型Si和Ge单晶片上得到施主杂质锂对受主杂质B、Ga的补偿达到杂质浓度平衡的高电阻率补偿，该区具有与本征材料相类似的性质，通常用符号I（英文Intrinsic的首字）来表示简称I区，它是探测器的灵敏区，可获厚度几mm到十几mm的灵敏区，锂漂移探测器是PIN结构。 7.1 锂漂移探测器I区（灵敏区）的形成（补偿区的制备） 对于硅，目前纯度最高的材料多是P型，最好的纯化过程也会使受主杂质在材料中占优势（例如Si，其硼在硅中的分凝系数是0.9，因而不管采用什么方式纯化，硼是不可能全部去除，所以拉制出的单晶是P型。因此要达到所希望的补偿就必须在材料中添加施主原子。锂是唯一可以有足够高的浓度掺入Si或Ge中用来补偿受主的施主杂质。 一块P型半导体，例如掺硼的Si单晶，最初它的受主杂质的浓度是均匀分布的。在P型半导体晶片的一面蒸发一层金属锂，由于锂在Si和Ge中的迁移率高而电离能低（在Si中是0.033eV，在Ge中是0.093eV），所以在室温下锂是全部电离成为锂离子，电子进入导带内起施主作用。而锂离子（Li+）的半径只有6(10-2nm，比室温下S