实用新型专利申书(集成电路).docVIP

名称：一种同时匹配的低噪声放大器 说明书摘要 本实用新型公开了一种同时匹配的低噪声放大器(Low Noise Amplifier-LNA)，特别涉及一种应用在集成电路(Integrated Circuit)设计中的同时匹配的低噪声放大器。本实用新型首先通过一个源简并电感(Source Degeneration Inductance)串联在MOS晶体管的源极以提供串联负反馈效应，使得MOS管栅极的输入阻抗和噪声最优源阻抗满足；然后利用一个L型输入匹配网络，将MOS管的栅极匹配到信号源，从而使得本低噪声放大器的输入级同时实现了噪声匹配和功率增益匹配，不仅能够达到低噪声放大器的最小噪声系数，而且实现了功率的最大传输；最后利用一个L型输出匹配网络，实现MOS管的漏极与负载之间的匹配。本实用新型能够利用功耗约束噪声优化技术(Power-Constrained Noise Optimization Technique)选择MOS管M1的适当尺寸，在功耗约束条件下实现低噪声放大器输入端的同时匹配。 摘要附图 权利要求书 一种同时匹配的低噪声放大器，其特征在于，用集成电路(Integrated Circuit)工艺实现，即将有源和无源元器件制作在同一块半导体基片上来实现低噪声放大器的设计，并且在输入级能够同时实现噪声匹配和功率匹配设计。 如权利要求1所述的一