第4章_硅锗中的杂质和缺陷分析.pptVIP

Ec ED EA Ev 电离施主 电离受主 (2) NDNA 此时半导体为p型半导体 有效受主浓度p=NA- ND (3) ND≈NA 杂质的高度补偿 Ec ED EA Ev 本征激发产生的导带电子 本征激发产生的价带空穴 杂质的补偿作用 当NDNA时 n= ND-NA ≈ ND，半导体是n型的 当NDNA时 p= NA-ND ≈ NA，半导体是p型的 当ND≈NA时 补偿半导体 有效杂质浓度 补偿后半导体中的净杂质浓度。 5. 深杂质能级 根据杂质能级在禁带中的位置，杂质分为： 浅能级杂质→能级接近导带底Ec或价带顶Ev，电离能很小 深能级杂质→能级远离导带底Ec或价带顶Ev，电离能较大 EC ED EV EA Eg EC EA EV ED Eg 深能级杂质 非III、V族元素 特点 多为替位式杂质 硅、锗的禁带中产生的施主能级距离导带底和价带顶较远，形成深能级，称为深能级杂质。 深能级杂质能够产生多次电离，每次电离均对应一个能级。有的杂质既能引入施主能级，又能引入受主能级。 例1：Au（Ⅰ族）在Ge中 Au在Ge中共有五种可能的状态： （1）Au+； （2） Au0 ； （3） Au一 ；