基本磊晶技术与产品应用.pptVIP

1 應用-手機 國內行動電話上下游產業 應用-軍事通訊系統 發光材料與波長 顯示版-Display 燈泡、號誌燈 光電產品 基本磊晶技術與產品應用 產品上下游關聯 EPITAXY IS THE KEY ENABLING STEP Substrates End User Applications Processed Wafers Packaged Devices MOCVD/MBE Epitaxial Wafers Epitaxy Equipment Chemicals Metrology Equipment 晶片設計 砷化鎵晶圓 砷化鎵磊晶 砷化鎵晶片代工 砷化鎵晶片封裝 砷化鎵晶片測試 發光源代工 發光源封裝 4 LEC grown crystal  480 mm length MBE MOCVD VCSEL LED RF IC The Relative Industries of GaAs LD 成長方式 微波元件結構 特色 應用 MBE MESFET 金屬半導體場效電晶體 同質結構、線性度佳、均勻度佳、製程成熟穩定 行動電話、光纖通訊、無線區域網路 PHEMT 高電子遷移率電晶體 異質結構、電子速度高、增益高、雜訊低及工作頻寬高 高級手機、衛星通訊、雷達與全球定位系統 MOCVD HBT 異質介面雙載子電晶體 異質結構、線性度佳、功率放大倍率佳及工作頻寬高 手機中的功率放大器、衛星通訊 HEMT/HBT Application 產品項目 PHEMT MESFET HBT Si Ge Si BJT 操作頻率 100 GHz ~25 GHz 100 GHz 60~75 GHz 45 GHz 線寬 0.12-0.5m m 0.25-1 m m 2-3 m m 0.2-0.5 m m 0.25-0.5m m 功率 高 低 高 低 低 功率效益 高 低 最高 高 高 電源 雙電源 雙電源 單電源 單電源 單電源 製程技術 MMIC MMIC MMIC IC IC Die Area Cost 0.21 US$/mm2 0.25 US$/mm2 0.11 US$/mm2 ---- ---- Idle Current 高 高 低 低 低 崩潰電壓 高 高 最高 低 高 Gain 高 低 高 高 高 產品應用 低雜訊功率放大器 LNA 高頻功率放大器 微波積體電路 MMIC 微波積體電路 個人通信系統 PCS 行動電話系統 Cellular Phone 微波積體電路 MMIC 光纖通信積體電路 OEIC 1.微波積體電路 2.個人通信系統 1.一般積體電路 HEMT/HBT Characterization 微波元件/系統應用 砷化鎵磊晶片 IC設計 晶圓代工 封裝 測試 VCO Flash Memory R, L, C 元件製造 上游原料 SAW Filter 鍵盤, PCB, LED Speaker, Battery 手機製造商 明碁, 致福, 大霸, 廣達, 華冠, 英資達, 華寶/金寶, DNet 博達, 全新, 勝陽… 和康, 和茂 聿勤 宏捷, 穩懋, 全球聯合通信… 國碁, 同欣, 菱生, 麥瑟… 京元, 宇通, 宏測… PA 主動元件 被動元件 其他 中鋼, 陸昌, 慈揚, 永強 旺宏 正文, 希華… 華新科, 璟德, 美磊,信昌, 奇力新,均寶, 大毅,國巨, 旺詮… 台灣嘉碩, 台灣晶技, 泰電… 正葳, 毅嘉, 美律, 倡新, 元豐, 欣興, 楠梓… 應用-搜尋與防撞雷達 source: TRW 應用-通訊系統 光電元件/系統應用 發光二極體 LED 示意圖 electrode electrode emitting region or active layer n-type layer p-type layer emitted light Source: Compound Semiconductor 2001/4 1. 車用 2. 交通號誌用 3. 顯示屏用 4. 背光 5. 照明 GaN 白光 LED 460 ~ 470 nm GaN chip 樹 酯 螢光粉 Ref: Lumiled 上游：單晶棒 GaAs、GaP →單晶片→結構設計→磊晶片。 成品：單晶片、磊晶片。 中游：金屬蒸鍍→光罩蝕刻→熱處理 PN電極製作 → 切割→崩裂。 成品：晶粒。 下游： 封裝 晶粒粘著→ 打線→ 樹脂封裝→剪腳。 成品：Lamp、digit display 、表面粘著型、點矩陣型 、 ? 集束型、