第3章变磁阻式传感器重点.ppt

第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 图3.1为一种简单的自感式传感器，它由线圈、铁心和衔铁等组成。当衔铁随被测量变化而上、下移动时，铁心气隙、磁路磁阻随之变化，引起线圈电感量的变化，然后通过测量电路转换成与位移成比例的电量，实现了非电量到电量的变换。可见，这种传感器实质上是一个具有可变气隙的铁心线圈。 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 类似于上述自感式传感器，变磁阻式传感器通常都具有铁心线圈或空心线圈(后者可视作前者的特例)。因此，分析铁心线圈的电气参数与它们对线圈特性的影响，对了解与分析变磁阻式传感器以及选择传感器参数有帮助。为此，我们将传感器线圈等效成图3.2所示的等效电路，并对电路参数及其影响一一进行讨论。 1.线圈电感L由磁路基本知识可知，匝数为W的线圈电感为 第3章 变磁阻式传感器 当线圈具有闭合磁路时 式中? RF——导磁体总磁阻。 当线圈磁路具有小气隙时 式中? Rθ——气隙总磁阻。 第3章 变磁阻式传感器 为了分析方便，需要将各种形式的线圈的电感L用统一的式子表达。为此，引入等效磁导率概念，即将线圈等效成一封闭铁心线圈，其磁路等效磁导率为μｅ，磁通截面积为S，磁路长度为ｌ，于是式(3-1)变为 ?????? ?????????????????????????????? (3-4) 式中? μ——真空磁导率，μ＝4π×10-7(H/ｍ))。 第3章 变磁阻式传感器 2.铜损电阻Rc取决于导线材料及线圈的几何尺寸 3.涡流损耗电阻Rｅ? 由频率为ｆ的交变电流激励产生的交变磁场，会在线圈铁心中造成涡流及磁滞损耗。根据经典的涡流损耗计算公式知，为降低涡流损耗，叠片式铁心的片厚应薄；高电阻率有利于损耗的下降，而高磁导率却会使涡流损耗增加。 4.磁滞损耗电阻Rh铁磁物质在交变磁化时，磁分子来回翻转而要克服阻力，类似摩擦生热的能量损耗。 5.并联寄生电容C的影响并联寄生电容主要由线圈绕组的固有电容与电缆分布电容所构成。 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 式(3-5)表明，铁损的串联等效电阻Re′与L有关。因此，当被测非电量的变化引起线圈电感量改变时，其电阻值亦发生不希望有的变化。要减少这种附加电阻变化的影响，比值Re/ωL应尽量小，以使Re′ωL′，从而减小了附加电阻变化的影响。可见，在设计传感器时应尽可能减少铁损。当考虑实际存在并联寄生电容C时，阻抗Z为 第3章 变磁阻式传感器 式中? 总的损耗电阻 ，品质因数 。 当Q1时，1/Q2可以忽略，式(3-7)可简化为 第3章 变磁阻式传感器 由式(3-8)、(3-9)、(3-10)知，并联电容C的存在，使有效串联损耗电阻与有效电感均增加，有效Q值下降并引起电感的相对变化增加，即灵敏度提高。因此，从原理而言，按规定电缆校正好的仪器，如更换了电缆，则应重新校正或采用并联电容加以调整。实际使用中因大多数变磁阻式传感器工作在较低的激励频率下(ｆ≤10ｋHｚ)，上述影响常可忽略，但对于工作在较高激励频率下的传感器(如反射式涡流传感器)，上述影响必需引起充分重视。 第3章 变磁阻式传感器 一.工作原理与输出特性 如前所述，自感式传感器实质上是一个带气隙的铁心线圈。按磁路几何参数变化形式的不同，目前常用的自感式传感器有变气隙式、变面积式与螺管式三种；按磁路的结构型式又有Π型、E型或罐型等等；按组成方式分，有单一式与差动式两种。 第3章 变磁阻式传感器 1.变气隙式自感传感器 变气隙式自感传感器的结构原理见图3.1。由于变气隙式传感器的气隙通常较小，可以认为气隙磁场是均匀的，若忽略磁路铁损，则图3.1传感器的磁路总磁阻为 第3章 变磁阻式传感器 将式(3-11)代入式(3-1)，可得 第3章 变磁阻式传感器 同时，由式(3-11) 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 2.变面积式自感传感器 若图3.1所示传感器的气隙长度ｌδ保持不变，令磁通截面积随被测非电量而变(衔铁水平方向移动)，即构成变面积式自感传感器。此时由式(3-16) 第3章 变磁阻式传感器 可见，变面积式传感器在忽略气隙磁通边缘效应的条件下，输出特性呈线性，因此可望得到较大的线性范围。与变气隙式相比较，其灵敏度较低。欲提高灵敏度，需减小ｌδ，但同样受到工艺和结构的限制。ｌδ值的选取与变气隙式相同。 3.螺管式自感传感器 ?? 图3.4为螺管式自感传感器结构原理图。它由平均半径为r的螺管线圈、衔铁和磁性套筒等组成。随着衔铁插入深度的不同将引起线圈泄漏路径中磁阻变化，从而使线圈的电