传感器实验分析.docVIP

实验报告： ：实验一硅光电池、实验二光敏电阻（9.2、9.9） 实验三金属箔式应变片性能一单臂电桥、实验四金属箔式应变片单臂、 半桥、全桥比较（9.16、 9.23） ：实验七变面积式电容传感器的静态及动态特性（9.30） ：实验五移相器实验、实验六相敏检波器实验（10.14、10.15） ：实验八差动变压器(互感式）性能测试（10.21） ：实验十电涡流式传感器的静态标定（10.28） 第七次：实验十一热电偶原理及分度表的应用（11.4） 第八次：实验十二霍尔式位移传感器的直流激励特性（11.11） 第九次：实验十四压电传感器的动态响应实验（11.18） 第十次：实验十五半导体扩散硅压阻式压力传感器实验（11.25） 第十一次：实验十六光纤位移传感器静态实验（12.2、12.9） 实验一 硅光电池 实验目的：了解硅光电池的原理结构、性能。 实验原理：在光照作用下，由于元件内部产生的势垒作用，在结合部使光激发的电子-空穴分离，电子与空穴分别向相反方向移动而产生电势的现象，称为光伏效应。硅光电池就是利用这一效应制成的光电探测器件。 所需单元及元件：硅光电池、直流稳压电源、数字电压表。 实验步骤： （1）按图43接线 图 43 （2）电压表置2V档，直流稳压电源±4V档。 （3）将+4V接入仪器顶部光敏类传感器盒+4V端口 （4）将光强调节旋钮关至最小。记录下此时电压表读数，这是外界自然光对硅光电池的影响。 （5）慢慢调节光强旋钮，发光二极管亮度增加，注意观察电压表数字变化。 （6）电位器每旋转20°记录一个数据。 光强 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 输出 根据数据表格，作出实验曲线： 实验二 光敏电阻 实验目的：了解光敏电阻的工作原理结构、性能。 实验原理：入射光子使物质的导电率发生变化的现象，称为光电导效应。硫化镉（Cds)光敏电阻就是利用光电导效应的光电探测器的典型元件。根据制造方法，其光敏面大至可分为单结晶型、烧结型、蒸空镀膜型。其结构如图44A所示，就是将（Cds)粉末烧结于陶瓷基片上，并在基本上作蛇型电极。通过这样的方法，可增加电极和光敏面的结合部分的长度，从而可以得到大电流。另外，其封装也有种种方法，可根据其可靠性和价格来进行分类。 所需单元及元件：光敏电阻、直流稳压电源、电桥平衡网络中W1电位器、F/V表。 实验步骤： （1）按图44B接线 （2）将直流稳压电源±4V接入仪器顶部光敏类传感器盒±4V端口。 （3）将光强调节旋钮置小位，F/V置2V档，调节W1电位使F/V示值最小。 （4）慢慢调节光强旋钮，发光二极管亮度增加，注意观察F/V数字变化。 （5）电位器每旋转约20°记录一个数据。 光强 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 输出 根据数据表格，作出实验曲线： 注意事项： （1）因外界光对光敏元件也会产生影响，实验时应尽量避免的外界光干扰。 （2）如果实验数据不稳，应检查周围是否有人员走、物体移动产生影响所造成的。 实验三 金属箔式应变片性能一单臂电桥 一、实验目的： 了解金属箔式应变片，单臂单桥的工作原理和工作情况。 二、实验原理： 本实验说明箔式应变片及单臂直流电桥的电源的原理和工作情况。 应变片是最常用的测力传感元件。当用应变片测试时，应变片要牢固地粘贴在测试体表面，当测件受力发生形变，应变片的敏感栅随同变形，其电阻也随之发生相应的变化，通过测量电路，转换成电信号输出显示。 电桥电路是最常用的非电量电测电路中的一种，当电桥平衡时，桥路对臂电阻乘积相等，电桥输出为零，在桥臂四个电阻R1、R2、R3、R4中，电阻的相对变化率分别为ΔR1/R1、ΔR2/R2、ΔR3/R3、ΔR4/R4，当使用一个应变片时， ；当二个应变片组成差动状态工作，则有 ；用四个应变片组成二个差对工作，且R1=R2=R3=R4=R， 。由此可知，单臂、半桥、全桥电路的灵敏度依次增大。 三、所需单元及部件： 直流稳压电源、电桥、差动放大器、双孔悬臂梁称重传感器、砝码、一片应变片、F/V表、主电源。 四、旋钮初始位置： 直流稳压电源打到±2V档，F/V表打到2V档，差动放大增益最大。 五、实验步骤： 1、