MOS电路版图及工艺-3-铝布线分析.pptVIP

* P+ implant CMOS反相器版图流程(4) 4. 有源区注入——P+、N+区（select)。 * contact CMOS反相器版图流程(5) 5. 接触孔——多晶硅，注入区和金属线1接触端子。 * Metal 1 CMOS反相器版图流程(6) 6. 金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝 * via CMOS反相器版图流程(7) 7. 通孔——两层金属连线之间连接的端子 * Metal 2 CMOS反相器版图流程(8) 8. 金属线2——做金属连线，封闭图形处保留铝 * VDD GND VDD GND inverter： Schematic: Layout: input output m1 m2 m2 m1 * 1. 阱——做N阱和P阱封闭图形处，窗口注入形成P管和N管的衬底 2. 有源区——做晶体管的区域（G、D、S、B区)，封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层 3. 多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅 4. 有源区注入——P+、N+区（select)。做源漏及阱或衬底连接区的注入 5. 接触孔——多晶硅，注入区和金属线1接触端子。 6. 金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝 7. 通孔——两层金属连线之间连接的端子 8.