第三章晶园制备31 概述.pptVIP

第三章 晶园制备 3.1 概述 在这一章里，主要介绍沙子转变成晶体，以及晶园和用于芯片制造级的抛光片的生产步骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的晶园，最早使用的是1英寸，而现在300mm直径的晶园已经投入生产线了。因为晶园直径越大，单个芯片的生产成本就越低。然而，直径越大，晶体结构上和电学性能的一致性就越难以保证，这正是对晶园生产的一个挑战。 3.2 晶体生长 半导体材料都是由构成其成分的原子规律排列而成，通常把这种原子规律排列而成的材料称为单晶。而它是由大块的具有多晶结构和未掺杂的本征材料生长得来的。把多晶块转变成一个大单晶，并给予正确的定向和适量的N型或P型掺杂，叫做晶体生长。有三种不同的生长方法：直拉法 区熔法 液体掩盖直拉法 3.2.1 直拉法 大部分的单晶都是通过直拉法生长的。生产过程如图所示。 特点：工艺成熟，能较好地拉制低位错、大直径的硅单晶。缺点是难以避免来自石英坩埚和加热装置的杂质污染。 3.2.2 液体掩盖直拉法 此方法主要用来生长砷化镓晶体，和标准的直拉法一样，只是做了一些改进。由于熔融物里砷的挥发性通常采用一层氧化硼漂浮在熔融物上来抑制砷的挥发。故得其名，如图所示。 3.2.3 区熔法 主要用来生长低氧含量的晶体，但不能生长大直径的单晶，并且晶体有较高的位错密度。这种工艺生长的单晶主要使用在高功率的晶闸管和整流器上，生长系统如图所示。 几种工艺的比