第九章金属化与多层互连详细分析.ppt

9.6.1 多层互连对VLSI的意义 1.提高集成度； 2.降低互连延迟： 3. 降低成本 （目前Cu互连最高已达10多层） 9.6 VLSI与多层互连 平坦化的必要性 9.6.2 平坦化 9.6 VLSI与多层互连 台阶的存在：如， 引线孔、通孔边缘； 影响：薄膜的覆盖效果； 改善： ①改进薄膜淀积的工艺： 行星旋转式真空蒸发装置； 溅射替代蒸发； ②PSG、BPSG回流； ③平坦化工艺 9.6.2 平坦化 9.6 VLSI与多层互连 BPSG回流工艺 牺牲层工艺：等离子刻蚀工艺，局域完全平坦化 9.6.2 平坦化 9.6.3 CMP工艺 CMP：chemical mechanical planarization化学机械平面化 或 chemical-mechanical polishing 化学机械抛光 9.6 VLSI与多层互连 CMP的基本构成： ①磨盘：聚亚胺酯薄片 ②磨料： a.反应剂：氧化剂； b.摩擦剂：SiO2 CMP的基本机理： ①金属被氧化，形成氧化物； ②SiO2磨掉氧化物。 9.6.3 CMP工艺 9.6 VLSI与多层互连 9.6.4 CMOS IC的多层互连 1）PECVD Nitride 9.6.4 CMOS IC的多层互连 2）PECVD USG 3）PECVD Etch Stop Ni