5.3晶体三极管重点.pptVIP

5.3 晶体三极管 主要内容 分类 结构 放大原理 伏安特性曲线 含三极管电路分析 认识晶体管 一、三极管的分类： 按材料分： 硅管、锗管 按功率分： 小功率管 500 mW 按结构分： NPN、 PNP 按工作频率分： 低频管、高频管 大功率管 1 W 中功率管 0.5 ?1 W 二. 晶体管结构 NPN型 晶体三极管是通过特殊工艺将两个相距很近的PN 结结合在一起的器件，通常简称为晶体管，具有电流放大作用。 PNP型 为了能保证三极管具有放大特性，在制作时候应使其结构具有以下特点： ? 发射区的掺杂浓度最高 ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 Exit 三极管内有两种载流子 自由电子和空穴 参与导电，故称为双极型三极管。 三、晶体三极管的电流放大原理 2.晶体管放大的条件 内部条件：在制造晶体管时需保证其发射区掺杂浓度高；基区很薄且掺杂浓度低；集电结面积大。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 1.三极管有三种连接方法： 共射极连接、共集电极连接和共基极连接。 （1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。 （2）发射区的电子注入